Чипы памяти hynix или Samsung

Пофиг. Чипы или Samsung или Hynix. Платы, монтаж и прошивку EEPROM китайцы хорошо освоили. KLLISRE массово производит модули памяти приемлемого качества.

Let’s come together right now !

  • De_User, я научился — cмотри, как хрюша в машинёшке резвится ;)Гудвин(1480 знак., 10.02.2020 21:31 )
  • Лепота! Чем BIOS редактировали? — De_User(11.02.2020 08:26 )
  • BTW: месяц назад приехали два (самых) дешёвых Ankowall 4GB DDR3-1600. Рука-лицо. Собраны на разных микросхемах: DDR3L на 1333, DDR3-1600 и даже одна DDR3-1866. И ничего, работают.De_User(132 знак., 11.02.2020 08:38 — 08:54 , ссылка)
  • Да мне для XP в этой машинёшке больше 4 гиг все равно не надо — текущая вполне сойдет. — Гудвин(11.02.2020 08:55 )
  • И с разгоном нашлось? можно ссылку на сайт ремонтников? Хотя с вероятностью 90% на 1155 такое не прокатит, т.к. на обычных чипсетах (B75) кварца и PLL нет, упростили донельзя (SetFSB не работает). — De_User(11.02.2020 08:49 — 08:51 )
  • Ты не понял — я просто качнул bios от материнки Asus P7H55-M LX. У нее есть штатная возможность разгона по шине, в отличии от моей LE и вольтмод. В моей LE это меню заблокировано. Железо одинаковое в части чипсета, PLL и регулировок напряжений.Гудвин(517 знак., 11.02.2020 10:34 )

Источник: caxapa.ru

Проблема Hynix на RTX 3060TI касается всех!!!

Hmt351u6cfr8c h9 n0 aa характеристики

Обзор и тестирование в номинале и в разгоне пары планок памяти по 4 Гб каждая Hynix HMT351U6CFR8C-H9.

Основные характеристики — 1333 МГц, 9-9-9-24, 1.5 В. В профилях указаны несколько иные настройки — 1370 МГц при 9-9-9-25 и 1522 при 10-10-10-28 (всё при напряжении 1.5 В).
Чипы изготовлены на 36-й неделе 2011 года. Маркировка — H5TQ2G83CFR-H9C.

Радиаторы на памяти не играют никакой роли. Память была проверена на разгон и без радиаторов и абсолютно ничего не изменилось.
Сначала протестируем память на заявленных частотах.

Субтайминги, выставленные материнской платой в режиме Auto:

AIDA64 Cache Memory Benchmark

Было: чтение — 17055 MB/s, запись — 19859 MB/s, копирование — 18852 MB/s, задержка — 47.1 ns.
Стало: чтение — 23716 MB/s, запись — 23255 MB/s, копирование — 27170 MB/s, задержка — 35.1 ns.

MaxxMEM 1.99
Было: 1000.2 Marks
Стало: 1651.5 Marks

На этом я решил не останавливаться и попробовал ещё немного разогнать эти модули. В итоге удалось добиться частоты 2400 МГц при таймингах 11-13-11-32 1Т и напряжении 1.7 В.

Чипы Hynix D-die (DJR). Главный конкурент Samsung B-die? Разгоняем Trident Z Neo до 4000 МГц

Еще по теме:  Как установить приложение на флешку на Андроиде Самсунг

AIDA64 Cache #128578;

Результаты разгона

Для каждого из протестированных модулей приведены скриншоты (кликабельные, по ссылкам находятся более подробные варианты) с информацией из SPD, полученной при помощи программы Thaiphoon Burner v7.3.2.0 build 0822. Профили EPP/XMP/BEMP отсутствуют, что не удивительно для бюджетной памяти, которую производитель тестирует только в режимах, являющихся штатными для используемых микросхем.

Hynix Original HMT351U6CFR-H9 (Hynix H5TQ2G83CFR-H9C)

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

реклама

Память на микросхемах Hynix оправдала ожидания, продемонстрировав разгон почти до двух с половиной гигагерц, что составляет 187% от своей номинальной частоты. Также она показала хороший, почти линейный рост частоты от напряжения в интервале от 1.35 В до 1.75 В, но только на правильно подобранных таймингах.

Для микросхем Hynix H5TQ2G83xFR-H9C тайминги лучше всего устанавливать по формуле X-(X+2)-(X+1), то есть tRCD на двойку больше tCL и tRP на единицу больше tCL. Для достижения высоких частот tRAS лучше устанавливать не ниже 28, а на не очень высоких частотах (до 2000-2100 МГц) можно использовать и более низкие значения для этого тайминга. В любом случае заметного влияния на производительность tRAS почти не оказывает. У данной памяти нет никаких проблем с работой Command Rate в значении 1T на всем диапазоне частот, повышение его до 2T не приводит к их увеличению.

На «ровных» таймингах рост частоты от напряжения выше штатного 1.50 В почти отсутствует и предел по частотам с ними гораздо ниже. Установка напряжений выше 1.75 В (были проверены до 1.90 В) уже не приводит к дальнейшему росту частоты, а только увеличивает нагрев. Установка таймингов выше 11-13-12-28 1T также не приводит к увеличению частоты, а при использовании «семерок» или ниже нормального разгона уже не получается.

Samsung Original M378B5273CH0-CH9 (SEC K4B2G0846C-HCH9)

реклама

График с результатами разгона:

Разгон памяти Samsung на микросхемах SEC K4B2G0846C-HCH9 тоже оказался неплох – до 2220 МГц по частоте, чего вполне достаточно для систем на основе процессоров Sandy Bridge, даже с небольшим повышением BCLK до 104 МГц.

Рост частоты от напряжения в интервале от 1.35 В до 1.50 В наблюдается при любых сочетаниях таймингов, а от 1.50 В до 1.65 В только при правильно подобранных. Выше 1.65 В реакция на напряжение почти отсутствует. Подняв его до 1.80-1.85 В можно получить как максимум еще один-два шага по частоте, то есть прирост составит не более 10-20 МГц. Повышение напряжения выше 1.65 В нерационально для микросхем Samsung C0, за исключением случаев, когда потенциала памяти немного не хватает, например, до достижения стандартной для Sandy Bridge частоты в 2133 МГц с таймингами в районе «десяток».

Еще по теме:  Как обрезать песню на телефоне для звонка Самсунг

«Ровные» сочетания таймингов для микросхем Samsung так же, как и для Hynix, неоптимальны, что видно по слабой реакции на увеличение напряжения выше штатного при использовании комбинации 9-9-9. Но у Samsung, в отличие от Hynix, увеличение tRCD больше чем на единицу относительно tCL не приводит к положительному эффекту. Оптимальной формулой можно считать X-(X+1)-(X+1). При использовании таймингов выше, чем 10-11-11, частота памяти Samsung растет очень слабо, что видно на графике по результатам в режиме 11-13-12. У Samsung (как C0, так и D0), аналогично Hynix, нет необходимости в повышении Command Rate с 1T до 2T.

Samsung Original M378B5273DH0-CK0 (SEC K4B2G0846D-BCK0)

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

График с результатами разгона:

Если в разгоне памяти Hynix до частот в районе 2500 МГц нет ничего необычного, то получение результатов такого же уровня с микросхемами SEC K4B2G0846D-BCK0 стало приятным сюрпризом. Более того, если у Hynix для этого необходимо повышение напряжения до 1.75 В, то в случае с Samsung D0 его вообще не обязательно поднимать. Особенно стоит отметить результат в 2444 МГц с таймингами 10-11-11 и напряжением 1.50 B.

Память Samsung D0, в отличие от рассмотренной выше Samsung C0, очень слабо реагирует на поднятие напряжения. Увеличение его от 1.50 В до 1.65 В может дать еще 10-20 МГц по частоте, но не более. Однако это не мешает Samsung D0 достигать более высоких частот, нежели Samsung C0, даже с более низким напряжением. Формула оптимальных таймингов осталась прежней – X-(X+1)-(X+1).

Но не стоит забывать, что хотя эта память тоже относится к категории бюджетной, но она уже с номиналом в 1600 МГц и чуть более высокой ценой. Поэтому в процентном соотношении от номинала разгон у Hynix все же больше, так же, как и соотношение цены на мегагерц.

реклама

Samsung Original M378B5273DH0-CK0 (SEC K4B2G0846D-HCK0)

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

График с результатами разгона:

реклама

какая память видеокарты лучше samsung или hynix

На форуме неоднократно говорилось про то, что лучше не брать память брендов, отличных от Samsung и Hynix, если вы не про.

Такой вопрос: что всё таки лучше взять Samsung, Hynix или без разницы?

Плашки 1333MHz 4gb.

Это тема Samsung против Hynix?

Тогда я за Samsung.

Так значит у Вас все же вопрос, что лучше, самсунг или хьюникс?

А название темы «Память какого производителя лучше?»не соответствует тогда получается вопросу.

Добавлено через 1 минуту 42 секунды
Поправила название темы. а темка пусть будет.

Тесты чипов памяти Samsung, Micron и Hynix на процессорах AMD Ryzen 3000

Страница 1: Тесты чипов памяти Samsung, Micron и Hynix на процессорах AMD Ryzen 3000

какая память видеокарты лучше samsung или hynix

После появления процессоров Ryzen 3000 на рынке прошло несколько недель, и они стали весьма популярными среди наших читателей. Производители памяти анонсировали специальные планки для новых процессоров Ryzen и материнских плат X570. Впрочем, никто не мешает использовать данные модули памяти и с материнскими платами B450 и X470, разве что там могут потребоваться настройки вручную.

Еще по теме:  Лучшая зарядка для Самсунг

Данный обзор был подготовлен нашим форумчанином Reous.

Несмотря на внешние отличия, подобные планки памяти чаще всего оснащаются чипами DRAM, которые показали хорошую совместимость с платформами AMD. Как правило, это 8-Гбит чипы от Samsung, SK Hynix и Micron. Мы получили возможность протестировать несколько комплектов G.Skill и Crucial.

какая память видеокарты лучше samsung или hynix

Ниже приведен краткий обзор трех наиболее распространенных чипов на рынке:

Samsung 8 Гбит B-Die:

Данные чипы типа K4A8G085WB изготавливаются по 20-нм техпроцессу. Ранее они показали дружественность к разгону, тактовые частоты почти линейно масштабируются с напряжением и задержками. По сравнению с приведенными ниже чипами, здесь получается достичь меньших задержек, что положительно сказывается на производительности. К сожалению, производство чипов B-Die прекращено, поэтому в ближайшие месяцы они уйдут с рынка. В соответствующей ветке форума перечислены планки памяти на чипах B-Die.

SK Hynix 8 Гбит C-Die:

Чипы типа H5AN8G8NCJR на 8 Гбит производятся по 18-нм техпроцессу, они относятся к третьему поколению после MFR и AFR. Потенциал разгона высокий, но по сравнению с Samsung B-Die придется принести в жертву задержки, такие как tRCDRD, tRP или tRFC. Данные чипы, как правило, встречаются на планках с заявленным режимом до DDR4-3600. Здесь мы тоже дадим ссылку на ветку форума, где можно подробнее ознакомиться с планками на чипах SK Hynix.

Micron 8 Гбит E-Die:

Чаще всего на рынке можно встретить планки памяти на 8 Гбит чипах MT40A1G8SA-075:E (D9VPP), которые производятся по 19-нм техпроцессу. В начале года они вызывали сенсацию, поскольку показали рекордные значения разгона. Из-за хороших возможностей разгона и низкой цены данные планки рекомендуются к покупке. Но и здесь по сравнению с чипами Samsung B-Die придется принести в жертву некоторые тайминги, такие как tRCDRD или tRFC. Дополнительная информация приведена в ветке форума.

Все тесты проводились на фиксированной частоте CPU 4,10 ГГц при напряжении 1,325 В. Такой шаг был сделан, чтобы тактовые частоты не менялись в зависимости от температуры CPU, что может негативно сказаться на результате. Для тактовых частот до DDR4-3733 включительно использовалась материнская плата ROG Strix X570-E Gaming, более высокие тактовые частоты от DDR4-4200 были получены на материнской плате ROG Strix B450-I Gaming. В качестве BIOS использовались версии с патчем ComboPi 1.0.0.3 ABB. Мы тестировали одноранговые планки 2x 8 Гбайт и двуранговые 2x 16 Гбайт на чипах памяти Samsung, SK Hynix и Micron.

Оцените статью
Добавить комментарий