EEPROM от англ. Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory — это электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ (ЭСППЗУ), один из видов энергонезависимой памяти таких, как PROM и EPROM. Память такого типа может стираться и заполняться данными до миллиона раз. Данные, записанные в эту память не исчезают при отключении питания.
Использование
Электроника большинства 3D принтеров поддерживает хранение некоторого объема настроек в своей внутренней памяти. Прошивка Marlin использует EEPROM для хранения настроек принтера и загружает при подаче питания на контроллер. Внимание! Изменение исходного кода и перепрошивка микропрограммы контроллера не изменяет содержимое EEPROM.
Включение / отключение EEPROM
В прошивке Marlin можно как включить использование EEPROM, так и отключить эту возможность. За включение использования EEPROM отвечает строка #define EEPROM_SETTINGS если эта строчка закомментирована, то использование EEPROM отключено. Для включения использования возможности EEPROM требуется расскоментировать строку #define EEPROM_SETTINGS. Данная строка находится в файле Configuration.h
Como funciona una memoria EPROM de TV
На данный момент, по умолчанию, разработчики Repository версии Marlin отключили использования EEPROM. Это чтобы избежать «непредсказуемые действия / последствия» работы принтера.
Учтите, что если у вас EEPROM включена, то вы всегда можете сбросить на «Установки по умолчанию» (исходя из исходного кода), используя команды M502 с последующим M500.
EEPROM G-коды
- M500 Сохранение текущих параметров в EEPROM.
- M501 Чтение всех параметров из EEPROM.
- M502 сбросить текущие настройки по умолчанию, как указано в Configurations.h (не забудьте потом сохранить изменения командой M500)
- M503 Печать текущих настроек — Выводит на экран хранящиеся в EEPROM настройки.
Настройки в EEPROM
Когда вы делаете M503 команду она выводет отчет , как это, который будет отличаться в зависимости от конфигурации Marlin :
‘>>> M503 S0’ M92 X80.00 Y80.00 Z4000.00 E1258.14
M203 X500.00 Y500.00 Z2.25 E45.00 M201 X9000 Y9000 Z100 E300 M204 P1500.00 R1500.00 T3000.00 M205 S0.00 T0.00 B20000 X20.00 Z0.40 E5.00 M206 X0.00 Y0.00 Z0.00 M145 M0 H180 B70 F0 M145 M1 H240 B110 F0 M301 P20.83 I1.04 D104.71 C1.00
Если вы не изменили эти параметры, то они соответствуют содержимому EEPROM.
Очистка EEPROM
Ссылки
- Это авто перевод статьиhttps://github.com/MarlinFirmware/Marlin/wiki/EEPROM с частичными правками человека 🙂
Источник: 3deshnik.ru
T-CON EEPROM Firmware Free Download for All T-CONs Models
Hi, Friends in this post I am showing you a collection of LCD/LED TV T-CON EEPROM Firmware. You can find here a lot of T-CON boards Bin files, more than 150 T-CON Board Firmware files are available here for free download. And don’t worry about the download process we will explain to you the download process through a youtube video. So first note down the model of your T-CON Board and then download the firmware easily in just some clicks.
Микросхемы епром (eeprom) в автомобильных блоках управления. Виды. Как найти. Чем работать.
How to Download Firmware
Fancy widgets with Conky Manager | .
Please enable JavaScript
many friends were asking me, how to download firmware files from this site. Now, you don’t need to think about this. If you really want to download then here is the video for you. Watch this video completely after that you can easily download it. Click on the below green button to get a link to the video.
T-CON EEPROM Firmware Collection
Hi, You are on soft4led.com This is the best site for you if you are a technician. Here you will find a lot of LCD/LED TV Firmware, China/Universal LCD/LED TV Firmware and Software files, Satellite receiver Bin files, Datasheets, Pinouts, Schematics and Circuit Diagram PDF files, COF IC Datasheets, EMMC Pinouts, All type of Bin files for laptop, Computer, LCD/LED TVs and more electronics equipment. I can say a technician can get any type of fie or help easily from this website. So please go to the home page and search for anything that you want to get from this site.
Источник: www.soft4led.com
EEPROM
Память компьютера, используемая для небольших объемов данных 
STMicro M24C02 I²C серийный тип EEPROM 
Atmel AT93C46A die 
AT90USB162 MCU объединяет 512 байт EEPROM поперечное сечение устаревшей UV-EPROM структуры. Верхний изолятор: ONO. Нижний изолятор: Туннель оксид. †: Оксид / Нитрид / Оксид
EEPROM (также EPROM ) означает электрически стираемое программируемое чтение — только память и представляет собой тип энергонезависимой памяти, используемой в компьютерах, интегрированных в микроконтроллеры для смарт-карт и удаленных систем без ключа и не ее электронные устройства для хранения относительно небольших объемов данных, но позволяют стирать и перепрограммировать отдельные байты.
EEPROM организованы в виде массивов транзисторов с плавающим затвором. EEPROM можно программировать и стирать внутри схемы, применяя специальные программные сигналы. Первоначально EEPROM были ограничены однобайтовыми операциями, что делало их медленнее, но современные EEPROM допускают многобайтовые операции со страницами. EEPROM имеет ограниченный срок службы для стирания и перепрограммирования, теперь он достигает миллиона операций в современных EEPROM. В EEPROM, который часто перепрограммируется, срок службы EEPROM является важным соображением при проектировании.
Флэш-память — это тип EEPROM, разработанный для обеспечения высокой скорости и высокой плотности за счет больших блоков стирания (обычно 512 байт или больше) и ограниченного количества циклов записи (часто 10 000). Между ними нет четкой границы, но термин «EEPROM» обычно используется для описания энергонезависимой памяти с небольшими блоками стирания (размером всего один байт) и длительным сроком службы (обычно 1000000 циклов). Многие микроконтроллеры включают в себя как флэш-память для прошивки, так и небольшую EEPROM для параметров и истории.
По состоянию на 2020 год флеш-память стоит намного меньше, чем программируемая байтом EEPROM, и является доминирующим типом памяти там, где системе требуется значительный объем энергонезависимой твердотельной памяти. EEPROM, однако, все еще используются в приложениях, которым требуется только небольшой объем памяти, например, в последовательном обнаружении присутствия.
История
В начале 1970-х годов некоторые исследования, изобретения и разработка электрически перепрограммируемой энергонезависимой памяти были выполнены различными компаниями и организациями. В 1971 году самый ранний исследовательский отчет был представлен на 3-й конференции по твердотельным устройствам, Токио в Японии Ясуо Таруи, Ютакой Хаяси и Киёко Нагаи в Электротехнической лаборатории ; Японский национальный исследовательский институт. Они изготовили устройство EEPROM в 1972 году и продолжали это исследование более 10 лет. Эти статьи неоднократно цитировались в более поздних статьях и патентах.
Одно из их исследований включает MONOS (металл — оксид — нитрид — оксид- полупроводник ), в которой использовалась Renesas Electronics ‘флэш-память, интегрированная в однокристальные микроконтроллеры.
. В 1972 г. Перепрограммируемая энергонезависимая память была изобретена Фудзио Масуока в Toshiba, который также известен как изобретатель флэш-памяти. Большинство основных производителей полупроводников, таких как Toshiba, Sanyo (позже, ON Semiconductor ), IBM, Intel, NEC (позже Renesas Electronics ), Philips (позже NXP Semiconductors ), Siemens (позже, Infineon Technologies ), Honeywell (позже, Atmel ), Texas Instruments, изучили, изобрели и изготовили некоторые электрические переоборудованные -программируемые энергонезависимые устройства до 1977 года.
Теоретической основой этих устройств является Avalanche впрыск горячего носителя. Но в целом программируемая память, включая EPROM, начала 1970-х годов имела проблемы с надежностью и долговечностью, такие как периоды хранения данных и количество циклов стирания / записи.
В 1975 году NEC ‘ s подразделение полупроводников, позднее NEC Electronics, в настоящее время Renesas Electronics, применило товарный знак название EEPROM® в Патентном ведомстве Японии. В 1978 году это право на товарный знак было предоставлено и зарегистрировано под номером 1342184 в Японии, и по состоянию на март 2018 года оно действует до сих пор.
В феврале 1977 года Элияху Харари из Hughes Aircraft Company изобрел новый Технология EEPROM, использующая туннелирование Фаулера-Нордхайма через тонкий слой диоксида кремния между плавающим затвором и пластиной. Хьюз продолжил производство этих новых устройств EEPROM. Но в этом патенте цитируется изобретение NEC EEPROM®.
В мае 1977 г. некоторые важные результаты исследования были раскрыты Fairchild и Siemens. Они использовали структуру SONOS (поликремний — оксинитрид — нитрид — оксид — кремний ) с толщиной диоксида кремния. менее 30 Å, и структура SIMOS (многослойная инжекция MOS ), соответственно, для использования туннелирования Фаулера-Нордхейма Внедрение горячих носителей.
Примерно с 1976 по 1978 год команда Intel, в том числе Джордж Перлегос, сделала несколько изобретений для улучшения этой туннельной технологии EPROM. В 1978 году они разработали устройство Intel 2816 с битом 16K (2K слов × 8) с тонким слоем диоксида кремния, который составлял менее 200 Å. В 1980 г. эта структура была публично представлена как FLOTOX; плавающий затвор туннель оксид. Структура FLOTOX повысила надежность циклов стирания / записи на байт до 10 000 раз. Но для этого устройства требовалось дополнительное напряжение смещения 20–22 В PP для стирания байта, за исключением операций чтения 5 В. В 1981 году Перлегос и двое других участников покинули Intel, чтобы сформировать Seeq Technology, которая использовала на устройстве зарядные насосы для подачи высокого напряжения, необходимого для программирования EPROM. В 1984 году Perlogos покинул Seeq Technology и основал Atmel, затем компания Seeq Technology была приобретена Atmel.
Теоретические основы структуры FLOTOX
Механизм зарядки сегодняшнего NOR -тип FLASH ячейка памяти 
разрядный механизм сегодняшнего NOR-type FLASH ячейка памяти
Как описано в предыдущем разделе, старые EEPROM основаны на лавинном пробое на основе инжекции горячих носителей с высоким напряжением обратного пробоя. Но теоретической основой FLOTOX является туннелирование Фаулера-Нордхейма инжекция горячих носителей через тонкий слой диоксида кремния между плавающим затвором и вафля. Другими словами, он использует туннельный переход.
. Теоретическая основа самого физического явления такая же, как и сегодняшняя флэш-память. Но каждая структура FLOTOX соединена с другим транзистором управления чтением, потому что сам плавающий затвор просто программирует и стирает один бит данных.
Структура устройства FLOTOX Intel повысила надежность EEPROM, другими словами, долговечность записи циклы стирания и срок хранения данных. Доступен материал исследования эффекта единичного события о FLOTOX.
Сегодня подробное академическое объяснение структуры устройства FLOTOX можно найти в различных материалах.
Сегодняшняя EEPROM структура
В настоящее время EEPROM используется для встроенных микроконтроллеров, а также для стандартных продуктов EEPROM. EEPROM по-прежнему требует 2-транзисторной структуры на бит для стирания выделенного байта в памяти, в то время как флэш-память имеет 1 транзистор на бит для стирания области памяти.
Защита безопасности
Внутри SIM-карты
Поскольку технология EEPROM используется для некоторых устройств безопасности, таких как кредитная карта, SIM-карта, вход без ключа и т. Д., Некоторые устройства имеют механизмы защиты, такие как копирование-
Электрический интерфейс
Устройства EEPROM используют последовательный или параллельный интерфейс для ввода / вывода данных.
Устройства последовательной шины
Общие последовательные интерфейсы: SPI, I²C, Microwire, UNI / O и 1-Wire. Они используют от 1 до 4 контактов устройства и позволяют устройствам использовать пакеты с 8 контактами или меньше.
Типичный последовательный протокол EEPROM состоит из трех фаз: фаза OP-кода, фаза адреса и фаза данных. OP-код обычно представляет собой первые 8 битов, вводимых на последовательный входной вывод устройства EEPROM (или с большинством устройств I²C, неявно); затем следуют от 8 до 24 бит адресации в зависимости от глубины устройства, затем чтение или запись данных.
Каждое устройство EEPROM обычно имеет свой собственный набор инструкций OP-Code, сопоставленных с различными функциями. Общие операции на устройствах SPI EEPROM:
- Разрешение записи (WRENAL)
- Запрещение записи (WRDI)
- Регистр состояния чтения (RDSR)
- Запись в регистр состояния (WRSR)
- Чтение данных (READ)
- Запись данных (WRITE)
Другие операции, поддерживаемые некоторыми устройствами EEPROM:
- Программа
- Sector Erase
- Команды стирания микросхемы
Устройства с параллельной шиной
Устройства с параллельной EEPROM обычно имеют 8-битную шину данных и адресную шину, достаточно широкую, чтобы покрыть всю память. Большинство устройств имеют контакты выбора микросхемы и защиты от записи. Некоторые микроконтроллеры также имеют встроенную параллельную EEPROM.
Работа с параллельной EEPROM проста и быстра по сравнению с последовательной EEPROM, но эти устройства крупнее из-за большего количества контактов (28 контактов или больше) и их популярность снижается в пользу последовательной EEPROM или вспышка.
Другие устройства
Память EEPROM используется для включения функций в других типах продуктов, которые не являются строго продуктами памяти. Такие продукты, как часы реального времени, цифровые потенциометры, цифровые датчики температуры, среди прочего, могут иметь небольшие объемы EEPROM для хранения калибровочной информации или других данных, которые должен быть доступен в случае потери питания. Он также использовался в картриджах для видеоигр для сохранения игрового прогресса и конфигураций до использования внешней и внутренней флэш-памяти.
Режимы отказа
Есть два ограничения хранимой информации; выносливость и сохранение данных.
Во время перезаписи оксид затвора в транзисторах с плавающим затвором постепенно накапливает захваченные электроны. Электрическое поле захваченных электронов суммируется с электронами в плавающем затворе, уменьшая окно между пороговыми напряжениями для нулей и единиц. После достаточного количества циклов перезаписи разница становится слишком малой, чтобы ее можно было распознать, ячейка застревает в запрограммированном состоянии, и происходит отказ долговечности. Производители обычно указывают максимальное количество перезаписей, равное 1 миллиону или более.
Во время хранения электроны, введенные в плавающий затвор, могут дрейфовать через изолятор, особенно при повышенной температуре, и вызывать потерю заряда, возвращая элемент в исходное положение. в стертое состояние. Производители обычно гарантируют сохранение данных в течение 10 и более лет.
Родственные типы
Флэш-память — это более поздняя форма EEPROM. В промышленности существует соглашение о сохранении термина EEPROM для побайтно стираемой памяти по сравнению с блочной стираемой флеш-памятью. EEPROM занимает больше площади кристалла, чем флэш-память при той же емкости, потому что для каждой ячейки обычно требуется транзистор для чтения, записи и стирания, в то время как схемы очистки флэш-памяти используются совместно большими блоками ячеек (часто 512 × 8).
Новые технологии энергонезависимой памяти, такие как FeRAM и MRAM, постепенно заменяют EEPROM в некоторых приложениях, но ожидается, что они останутся небольшой частью рынка EEPROM для обозримое будущее.
Сравнение с EPROM и EEPROM / flash
Разница между EPROM и EEPROM заключается в способе программирования и стирания памяти. EEPROM можно программировать и стирать электрически с помощью автоэлектронной эмиссии (более известной в промышленности как «туннелирование Фаулера-Нордхейма»).
EPROM нельзя стереть электрически, они программируются с помощью инжекции горячего носителя на плавающий затвор. Стирание осуществляется с помощью источника ультрафиолетового света , хотя на практике многие СППЗУ заключены в пластик, непрозрачный для УФ-излучения, что делает их «программируемыми однократно».
Большая часть флэш-памяти NOR представляет собой гибридный стиль — программирование осуществляется с помощью инжекции горячих носителей, а стирание — с помощью туннелирования Фаулера-Нордхейма.
| EEPROM | автоэлектронная эмиссия | 0,1. 5 мс, побайтно | автоэлектронная эмиссия | 0,1. 5 мс, поблочно |
| ИЛИ Флэш-память | инжекция горячих носителей | 0,01. 1 мс | полевая электронная эмиссия | 0, 01. 1 мс, поблочно |
| EPROM | инжекция горячего носителя | 3. 50 мс, побайтно | УФ-свет | 5. 30 минут, весь чип |
В популярной культуре
См. Также
- Лавинный анализ
- DataFlash
- EPR OM
- Полевая электронная эмиссия § Туннелирование Фаулера – Нордхейма
- Флэш-память
- MOSFET с плавающим затвором
- Intel HEX — формат файла
- Программатор (аппаратное обеспечение)
- Квантовое туннелирование
- SREC — формат файла
- Туннельное соединение
- Основная память для чтения (RMM)
Источник: alphapedia.ru