Они выпускались по устаревшему 20-нм техпроцессу, поэтому южнокорейская компания захотела заменить их на новые микросхемы M-die и A-die, производимые с применением более «тонких» литографических норм. Весной стало известно, что компания Samsung прекращает производство своих популярных чипов DDR4-памяти B-die. Первые модули на чипах M-die добрались до розницы в июне, а на днях в продаже была замечена память, где применяются наиболее прогрессивные на данный момент микросхемы Samsung A-die. И хотя чипы B-die пока ещё не окончательно ушли с рынка, в продажу постепенно начинают поступать модули памяти, построенные на микросхемах Samsung нового поколения.
Как опознать чипы Samsung B-die?
По этой причине на таких чипах основывается подавляющее число оверклокерских комплектов памяти. Модули DDR4-памяти, в основе которых используются чипы Samsung B-die, особенно популярны среди энтузиастов за свой высокий частотный потенциал и хорошие возможности разгона при увеличении напряжения питания. Однако те модули на базе чипов Samsung B-die, которые всё ещё поставляются на рынок в настоящее время, изготавливаются из складских остатков, поскольку выпуск чипов DDR4 по 20-нм техпроцессу Samsung прекратила в первом квартале этого года.
Для производства чипов памяти M-die компания Samsung применяет техпроцесс класса 1y-нм (второго поколения), в то время как в производстве микросхем A-die используется ещё более современная технология с литографическими нормами класса 1z-нм (третьего поколения). На смену им рано или поздно придут более новые микросхемы. Это позволяет выпускать на их основе односторонние модули памяти с ёмкостью 16 Гбайт и двухсторонние — ёмкостью 32 Гбайт, что с использованием микросхем B-die было попросту невозможно. Дополнительным преимуществом новых чипов выступает их увеличенная ёмкость, достигающая 16 Гбит.
Это — произведённые самой Samsung обычные небуферизованные модули ёмкостью 32 Гбайт, ориентированные на режим DDR4-2933 с таймингами 21-21-21 и рабочим напряжением 1,2 В. Первые модули с наиболее современными микросхемами A-die, которые появились в европейской рознице — Samsung M378A4G43AB2-CVF. Однако нужно иметь в виду, что такие достаточно высокие задержки соответствуют спецификации JEDEC и не отражают разгонных возможностей модулей.
Вполне логично предположить, что более совершенные модули Samsung M378A4G43AB2-CVF будут разгоняться как минимум не хуже. Например, 32-гигабайтные модули памяти Samsung M378A4G43MB1-CTD, которые основываются на чипах M-die и появились в продаже тремя месяцами ранее, при номинальной частоте DDR4-2666 и таймингах 19-19-19 легко разгоняются до состояния DDR4-3600.
Различия между разными Samsung B-Die комплектами ОЗУ.
Модули памяти Samsung M378A4G43AB2-CVF на чипах A-die объёмом 32 Гбайт доступны в Европе по цене порядка €135 без учёта НДС.
Источник: orion-int.ru
Лучшие комплекты оперативной памяти DDR5 и DDR4 на 2023 год
Собираете вы новый компьютер или обновляете существующий, выбор оперативной памяти для него зависит от используемой платформы и типа планируемых рабочих нагрузок. В современных компьютерах наиболее распространена память типа DDR4, а в последнее время поддерживается базовая скорость передачи данных DDR4-2133.
Оглавление показать
- Советы по выбору оперативной памяти
- Комплект DDR5 32 ГБ с лучшей производительностью: G.Skill Trident Z5 RGB DDR5-6000 (2 x 16 ГБ)
- Лучший комплект 32 ГБ DDR5-4800: Samsung DDR5-4800 (2 х 16 ГБ)
- Лучший высокоскоростной комплект 16 ГБ: Patriot Viper Steel DDR4-4400 (2 x 8 ГБ)
- Лучший высокоскоростной комплект RGB 16 ГБ: Patriot Viper RGB DDR4-3600 (2 x 8 ГБ)
- Лучший комплект 16 ГБ для разгона: Patriot Viper 4 DDR4-3400 (2 x 8 ГБ)
- Лучший комплект с двумя модулями DIMM 64 ГБ: Patriot Viper Steel DDR4-3600 (2 x 32 ГБ)
- Лучший комплект с двумя модулями DIMM 32 ГБ: Patriot Viper Steel DDR4-3200 (2 x 16 ГБ)
- Лучший комплект высокоскоростной памяти 32 ГБ для ручной настройки: G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 (2 x 16 ГБ)
- Лучший комплект 16 ГБ для чипсетов H370 и B360: Corsair Vengeance LPX DDR4-2666 (2 x 8 ГБ)
Может быть непросто оценить, влияет ли более быстрая память на производительность компьютера. Например, если использовать процессор Intel с одной из лучших видеокарт, большинство программ не покажут разницы между быстрой и медленной памятью. Однако, некоторые задачи выполняются значительно быстрее при повышенных скоростях передачи данных, в том числе игры. Программы сжатия файлов вроде 7-Zip или WinRAR тоже любят быструю память.
Процессоры AMD на архитектуре Zen получают от более высоких частот памяти больше. Разработанная компанией «Infinity Fabric» (связь различных логических блоков внутри процессоров Ryzen) соответствует скорости шины памяти. Увеличение скорости памяти в системах на процессорах Ryzen и Threadripper часто приводит к заметному повышению производительности.
В играх это означает прирост частоты кадров на популярных разрешениях, таких как 1080p (1920 х 1080), и более плавную работу на ещё более высоких разрешениях. Количество дополнительных кадров от более быстрой оперативной памяти заметно разнится от игры к игре. Некоторые игры больше зависят от производительности видеокарты.
Скорость памяти имеет большое значение в играх при использовании встроенной в процессоры графики, будь то процессор Intel или AMD. Графический чип встроенный в большинство процессоров, обычно не имеет выделенной памяти, в отличие от дискретных видеокарт. Увеличение тактовой частоты оперативной памяти обычно увеличивает и её производительность, но прирост производительности разный в разных играх. Для таких систем чем быстрее оперативная память, тем лучше, если вы хотите играть с максимальным комфортом.
Однако, медленная оперативная память и отдельная видеокарта для игр лучше, чем быстрая оперативная память и встроенная графика.
Быстрая оперативная память нужна, если вы играете на встроенной графике, если вы используете процессор AMD Ryzen и иногда процессор Intel, в зависимости от приложений. Память DDR5-5200 совместима с процессорами AMD Zen 4, память DDR5-5600 или DDR4-3200 с процессорами Intel Raptor Lake 13-го поколения.
Как проверить наличие проблем с оперативной памятью в Windows-компьютере
Советы по выбору оперативной памяти
Объём памяти в 16 ГБ сейчас многими считается оптимальным значением. Программы продолжают увеличиваться и потреблять всё больше памяти. Это же относится к видеофайлам с разрешениями 1080p (1920 х 1080) и 4K (3840 х 2160). Растут требования компьютерных игр, растёт сложность веб-сайтов.
Пользователям с многозадачной работой и компьютерным энтузиастам может потребоваться уже 32 ГБ памяти, чтобы не обращаться к более медленным файлам подкачки. 16 ГБ дешевле и их хватит для игр и основных рабочих задач.
Скорости памяти, заявленные как часть профиля XMP, могут быть недоступны на материнских платах под процессоры AMD. XMP представляет собой своего рода настройку автоматического разгона памяти, созданную для материнских плат под процессоры Intel. Некоторые производители материнских плат предлагают настройки BIOS, с помощью которых можно добиться высоких скоростей памяти, и на материнских платах для AMD. Такие настройки есть не на всех материнских платах и они не всегда срабатывают, даже если есть.
Если требуется самая быстрая оперативная память на платформе Intel, нужно использовать процессор серии K. Процессоры Core i9, Core i7 и Core i5, не относящиеся к серии K, имеют ограничение памяти до DDR4-2933, как и младшие чипсеты Intel H470 и B460. Процессоры Core i3 довольствуются нижним пределом памяти DDR4-2666. На большинстве материнских плат XMP отсутствует, но при его наличии становится проще настроить память с улучшенными таймингами. Правила поменялись с последним поколением процессоров Intel Rocket Lake. Разгон памяти стал доступен на материнских платах с чипсетами не только серии Z.
Двухранговая память быстрее одноранговой. Тесты показывают, что двухранговые комплекты памяти дают лучшую производительность как на платформе AMD, так и Intel.
Всегда покупайте один комплект памяти нужного объёма. Не объединяйте два модуля или комплекта памяти, даже если у них один производитель и одна серия. Смешивание разных планок не всегда даёт желаемый результат. Иногда для достижения стабильной работы приходится выполнять ручную настройку.
Как получить лучший результат работы памяти? Выбирайте комплект памяти, совпадающий с официально поддерживаемой вашим процессором частотой памяти, чтобы не нужно было ничего настраивать вручную. Например, DDR5-5200 является базовой памятью для процессоров AMD Zen 4, а DDR5-5600 и DDR4-3200 для Intel Raptor Lake 13-го поколения.
Если вы уже обладатель процессора Raptor Lake 13-го поколения, они изначально поддерживают DDR4-3200 на Gear 1. Независимо от скорости, DDR5 по умолчанию работает на Gear 2.
Комплект DDR5 32 ГБ с лучшей производительностью: G.Skill Trident Z5 RGB DDR5-6000 (2 x 16 ГБ)
G.Skill Trident Z5 RGB DDR5-6000 C36 представляет собой один из наиболее быстрых комплектов памяти DDR5 в настоящее время. У него лучшие тайминги среди комплектов памяти DDR5-6000. Использование чипов Samsung B-die означает, что Trident Z5 RGB способна работать с малыми таймингами и за пределами заявленной DDR5-6000. Многое зависит от удачи и от выставленного напряжения памяти.
Источник: trashexpert.ru
Samsung первой начала выпускать память DRAM с использованием сканеров EUV: отгружен первый миллион модулей
2020-03-25 в 7:08, admin , рубрики: Гаджеты и устройства для гиков
Компания Samsung Electronics сообщила о преодолении знаковой вехи. Клиенты компании получили в своё распоряжение один миллион модулей памяти DDR4 на первых в мире кристаллах памяти, для выпуска которых использовались сканеры диапазона EUV. Все они прошло комплексное тестирование и рекомендованы для установки в ПК премиального уровня и в серверы.
Согласно устоявшейся традиции, Samsung не раскрывает точные нормы производства чипов памяти в новом поколении. Кодовое обозначение данного техпроцесса ― D1x. Отметим, сканеры EUV с длиной волны 13,5 нм используются только для небольшой части производственных операций. Полностью перевести выпуск памяти поколения D1x на проекцию со сверхжёстким излучением компания планирует в следующем году. Такая память получит обозначение D1a.
Использование в производстве сканеров EUV позволяет ощутимо сократить число повторяющихся шагов. Теперь вместо нескольких фотошаблонов и, соответственно, нескольких проходов лучом сканера по кремниевой подложке достаточно будет одного или двух фотошаблонов и одного–двух проходов. Это экономия ресурсов и времени, что выльется в снижение себестоимости памяти. По словам Samsung, благодаря сканерам EUV продуктивность производства памяти D1x при обработке 300-мм кремниевых пластин увеличилась в два раз. Это означает, что со временем себестоимость производства памяти также снизится примерно в два раза.
В следующем году с использованием техпроцесса D1a с применением сканеров EUV компания Samsung собирается начать масштабное производство памяти DDR5 и LPDDR5. Для нового стандарта памяти себестоимость имеет большое значение. Также для расширения выпуска памяти с использованием сканеров EUV компания планирует запустить на заводе в Пхёнтхэк (Республика Корея) вторую производственную линию, что произойдёт во второй половине текущего года.
Источник: www.pvsm.ru