Схема усилителя ТВ на транзисторах

Усилитель трансляционный УЛТ-15Р предназначен для усиления сигналов звуковой частоты в трактах командных и вещательных передач.
Обходя свои владения по заваленному радиохламом чердаке, наткнулся на усилитель от судовой громкоговорящей связи «Рябина», ну и решил, что может, кому пригодится. Усилитель отработанный, надежный.

Не имеет правда защиты от КЗ на выходе, поэтому приходилось все время клеить новые каркасы и перематывать выходные трансформаторы.

Электрические параметры усилителя УЛТ-15Р
Напряжение на входе, В. 0,78±0,04
Сопротивление нагрузки, Ом . 60
Напряжение на выходе, В. 30
Нелинейные искажения, %. 4
Полоса частот, Гц . 150… 6000
Напряжение питания, В. 24
Потребляемый ток, А. 1,5

Принципиальная схема усилителя приведена на рисунке 1. Усилитель содержит три каскада предварительного усиления собранных на транзисторах VT1,VT2,VT3 по схеме с общим эмиттером и оконечный двухтактный каскад на транзисторах VT4… VT7 с трансформаторным выходом, обеспечивающим нужное выходное напряжение на нагрузке. Напряжение питание первого каскада стабилизировано параметрическим стабилизатором, собранным на стабилитронах Д1, Д2 и резисторе R6. С помощью резисторов R1 и R3 устанавливают рабочую точку транзистора, соответствующую режиму А.

Видеоурок5. Анализ схемы УНЧ С.Бать и В.Середа на 20 Вт

Усилитель УЛТ-15Р, схема, shema4

На эмиттер транзистора первого каскада подается напряжение отрицательной обратной связи, снимаемое со специально предназначенной обмотки, вывод 3 трансформатора ТР2. ООС частотозависимая, включающая в себя резистор R19, конденсаторы С5 и С6. Для увеличения термостабилизации режима работы каскада на транзисторах VT2 и VT3 в базовую цепь транзистора VT2 включен терморезистор R7.

Применение в качестве транзистора VT3, транзистора с обратной проводимостью, позволило исключить переходную емкость между вторым и третьим каскадами. Рабочую точку данного каскада устанавливают с помощью резистора R9. Конденсатор С3 шунтирует сопротивление R13 по переменному напряжению усиливаемого сигнала. Это повышает общий коэффициент усиления всего усилителя.

От величины его емкости зависит характеристика в области низких частот. Резистор R13, это резистор обратной связи по току, обеспечивающий устойчивую работу усилителя. Нагрузкой транзистора VT3 является согласующий трансформатор ТР1 — ПТ-853.

Трансформатор ПТ-853
сердечник ШЛ10×16, провод ПЭТВ-2.
Обмотки 1 – 5, 2 – 4……1000 витков, D = 0,112 мм
Обмотка 9 – 10……………500 витков, D = 0,2 мм

С его выходных обмоток сигналы в противофазе поступают на базы выходных составных транзисторов. С помощью резистора R16, включенного в цепь базового делителя, устанавливают режим работы класс АВ, исключающего появление нелинейных искажений типа ступенька в выходном сигнале.

Конденсатор С4 так же повышает устойчивость работы усилителя, уменьшая возможность возбуждения УНЧ на высоких частотах. От величины его емкости зависит коэффициент усиления в области высоких частот. Терморезистор R15 стабилизирует рабочую точку работы транзисторов выходного каскада при изменении окружающей температуры. При самостоятельном изготовлении усилителя в качестве сердечника выходного трансформатора можно использовать сердечник от ТВК-110 и ТВК-110Л1.

Еще по теме:  Как подключить джойстик к эпл ТВ

Схема усилителя на транзисторах (Транзистор 36)

Источник: www.kondratev-v.ru

Схемы усилителей

Как самому собрать или починить готовый усилитель мощности низкой частоты. Много схем УНЧ на транзисторах, лампах и микросхемах УМЗЧ.

ПЬЕЗОЭЛЕМЕНТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ ДЛЯ ГИТАРЫ

Схема усилителя на ОУ пьезоэлемента звукоснимателя гитары и скрипки.

УСИЛИТЕЛЬ ЛАМПОВЫЙ НА ГУ81

Простой ламповый гибридный усилитель ГУ81 своими руками – мощность до 130 Вт.

ЛАМПОВО-ПОЛЕВОЙ УНЧ ДЛЯ НАУШНИКОВ

Гибридный усилитель для наушников с радиолампой Е88СС и MOSFET-транзисторами.

ЛАМПОВЫЙ ЗВУК В ЛЮБОМ УНЧ

Встраиваемое в усилитель устройство, которое придаст ему подобное ламповому звучание.

МИКРОСХЕМНЫЙ УЗЧ ДЛЯ НАУШНИКОВ

Качественный УНЧ к наушникам, собранный по схеме параллельного соединения операционных усилителей.

АУДИОФИЛЬСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НА 6Г2 И EL34

Ламповый усилитель на основе отечественного комбинированного триода 6Г2 и популярных радиоламп EL34.

СИММЕТРИЧНЫЙ МАЛОШУМЯЩИЙ БЛОК ПИТАНИЯ

Симметричный источник питания с низким уровнем шума – схема на основе TPS7A4701.

Усилитель НЧ класса D мощностью 100 Вт

Четырехканальный УМЗЧ 100 Вт, схема на базе новейшего чипа TPA3255.

МИКРОУСИЛИТЕЛЬ НЧ С ПИТАНИЕМ ОТ USB 5 В

Делаем 3-х ваттный аудиоусилитель на доступной интегральной микросхеме NS8002.

УНЧ ДЛЯ КОЛОНКИ НА 1 ТРАНЗИСТОРЕ

Схема простого усилителя звука на одном транзисторе 2SC5200 и ещё 3-х деталях.

Источник: elwo.ru

Схема усилителя мощности «ЛАНЗАР» 310Вт на транзисторах

Подобная схемотехника используется довольно давно, однако имя «Ланзар» приобрела благодаря статье А.И. Шихатова в журнале «мастер 12 вольт» №43. В этой статье была описана схемотехника автомобильных усилителей на основе усилителя LANZAR RK-1200C, откуда собственно и взялось имя.

От оригинальной схемы данный усилитель отличается и элементной базой и режимами работы элементов в усилителе, что позволило не только значительно увеличить выходную мощность, а так же снизить THD.

Принципиальная схема усилителя приведена на рисунке 1.

Схема усилителя мощности «ЛАНЗАР» 310Вт на транзисторах

Технические характеристики усилителя.

  1. Максимальная выходная мощность — 310 Вт
  2. Максимальное напряжение питания для нагрузки 4 Ома (8 Ом) — ±60 В (±75 В)
  3. Входное сопротивление не менее — 22 кОм
  4. Отношение сигнал/шум более — 90 дБ
  5. THD с биполярным предпоследним каскадом при выходной мощности 100Вт — 0,06 %
  6. THD с полевым предпоследним каскадом при выходной мощности 100 Вт — 0,03 %
  7. Не равномерность АЧХ не более — 2 дБ
  8. Собственный коэф. усиления — 31 дБ

Сразу следует оговориться, что собственный коэф. усиления довольно высок (31 дБ) и при желании снизить уровень THD необходимо увеличить номинал резистора R9 до 680 Ом. В этом случае собственный коэф. усиления будет составлять 26 дБ, поскольку соотношение номиналов резисторов R9-R14 как раз определяет собственный коэф. усиления усилителя. Уровень THD при использовании резистора на 680 Ом снизиться до 0,04 % для полностью биполярного варианта и до 0,02 % для варианта с полевыми транзисторами в предпоследнем каскаде на нагрузке 4 Ома и выходной мощности 100 Вт.

Еще по теме:  Dualshock 4 подключить к Apple TV

Схемотехника усилителя практически полностью симметрична, что позволяет добиться минимальных искажений и довольно высокой термостабильности. Сигнал с источника звукового сигнала подается на составной проходной конденсатор С1-СЗ.

Подобное решение о выполнении проходного конденсатора вызвано тем, что электролитические конденсаторы при приложении обратной полярности имеют токи утечки. В данном же случае два последовательно соединенных конденсатора С2-СЗ позволяют полностью избавиться от этого эффекта. Кроме этого электролитические конденсаторы на частотах свыше 10 кГц уже довольно сильно увеличивают свое реактивное сопротивление и конденсатор С1 компенсирует этот уход параметров.

Далее установлен RC фильтр R2-C8, который помогает избавиться от импульсных и СВЧ помех, наводимых в соединительных сигнальных проводах.

Далее сигнал входной переменный сигнал разделяется на два, практически идентичных, усилительных тракта — для положительной и отрицательной полуволн. После дифференциального усилителя на транзисторах TV1, VT3 (VT2, VT4) сигнал поступает на усилительный каскад на транзисторе включенным по схеме с общим эмиттером (VT5 и VT6) и уже окончательно приобретает необходимую амплитуду.

По сути усиление входного сигнала уже закончено — он уже приобрел достаточно большую амплитуду и осталось лишь усилить сигнал по току, для чего используются обычно эмиттерные повторители из мощных транзисторов. Однако токи баз мощных транзисторов имеют достаточно большие величины и без промежуточного повторителя подавать сигнал означает получить огромные нелинейные искажения.

В данном усилителе в качестве «промежуточного» усилителя тока могут использоваться как биполярные транзисторы так и полевые (VT8, VT9). Назначение этого каскада по возможности разгрузить предыдущий каскад, нагрузочная способность которого не велика. Использование в качестве VT8, VT9 полевых транзисторов довольно сильно разгружает каскад на VT5, VT6 что снижает уровень THD практически в 2 раза. Однако снижается и общее КПД усилителя — при одном и том же напряжении питания усилитель с полевыми транзисторами выдаст меньше мощности не искаженного киплингом сигнала (ограничение выходного сигнала сверху и снизу), чем полностью биполярный вариант.

Так же было бы не справедливым умолчать и тот факт, что на слух эти усилители несколько отличаются, хотя и приборы этого не фиксируют, но все же звуковой окрас у каждого варианта свой, поэтому рекомендовать использовать именно полностью биполярный вариант или же с полевыми транзисторами было бы глупо — на вкус и цвет…

После предварительного усилителя тока, нагруженного на резистор R22 (нагрузка этого каскада не привязана ни к общему проводу, ни к нагрузке, т.е. является плавающей нагрузкой, что позволяет минимально изменяться току протекающему через этот каскад и ведет к дополнительному снижению THD) и уже подается на базу оконечного каскада.

В данном варианте используется по два транзистора включенных параллельно. Однако количество этих транзисторов может быть уменьшено при необходимости создания усилителя мощность до 150 Вт и увеличено до трех пар, при необходимости сборки усилителя на 450 Вт.

Еще по теме:  ТВ Россия передача удивительные люди

Параллельное включение оконечных транзисторов позволяет получить большую суммарную мощность, но следует обратить внимание на некоторые особенности такого решения. Транзисторы включенные в параллель должны быть не только одного типа, но и еще одной партии, т.е. выпущены за одну смену изготовления на заводе изготовителе. Это позволит избавится от подбора транзисторов по параметрам, поскольку разброс параметров между транзисторами одной партии гарантирован менее 2% заводом изготовителем, что и на самом деле соответствует действительности. Другими словами — транзисторы для оконечного каскада следует покупать в одном месте и сразу все необходимое количество.

Так же следует обратить внимание на маркировку транзисторов — на транзисторах действительно фирмы TOSHIBA маркировка выполнена лазером, т.е. имеет охристый оттенок надписи и ее не очень хорошо видно. Шрифт надписей имеет некоторые особенности -некоторые буквы и цифры «разрезаны» (рисунок 2). и наконец — в данном случае надпись 547 и значок овала, расположенный чуть левее этих цифр, есть номер партии, следовательно у всех транзисторов включенных в параллель должна быть такая же маркировка и такие же цифры и знаки. Кстати вместо овала может быть буква, цифра или цифра с буквой.

Подбор же параметров между транзисторами п-p-n и p-n-р структур желателен, но совсем не обязателен — как правило используя качественную комплектацию подобный разброс компенсируется действием отрицательной обратной связи.

Чертеж печатной платы

На рисунке 3 приведен чертеж печатной платы усилителя, (вид со стороны дорожек, размер платы 127 х 88 мм), на рисунке 4-расположение деталей и схема подключения (вид со стороны деталей).

Номиналы резисторов R3, R6 зависят от используемого напряжения питания и могут колебаться от 1,8 кОм до кОм.

Индуктивность L1 мотается на оправке диаметром 10 мм и содержит 10 витков провода диаметром 1,2…1,3 мм.

Ток покоя оконечного каскада должен быть в пределах от 30 до 60 мА — регулировка производится подстроенным резистором R15. Выше поднимать не надо. Ток покоя выставляют перед первым включением минимальным (движок подстроечного резистора ставится в верхнее по схеме положение).

После включения выставляется необходимый ток покоя и после «прогрева» усилителя (примерно 2…3 минуты) производится дополнительная корректировка -транзисторы TV5, VT6 достигнут своей рабочей температуры и больше их температура подниматься не будет.

Расположение элементов на плате

Транзисторы оконечного и предпоследнего каскадов крепятся на общий теплоотвод вместе с транзистором термокомпенсации VT7 через теплопроводящие прокладки (слюду). На транзисторы VT5, VT6 так же необходимо установить теплоотвод, который можно изготовить из листового алюминия толщиной 1… 1,5 мм и размером 20×40 мм для каждого транзистора. Установить этот теплоотвод можно сразу на оба транзистора, т.е. транзисторы зажимаются между алюминиевыми пластинами винтом, который вставляется в отверстие как раз между транзисторами.

Источник: redcxem.ru

Оцените статью
Добавить комментарий