TV это в электронике

Диоды являются одними из самых распространенных электронных компонентов. Они присутствуют практически во всех электронных приборах, которые мы ежедневно используем – от мобильного телефона до его зарядного устройства. В этой статье рассмотрим основные типы электронных схем, в которых диоды нашли свое применение.

1. Нелинейная обработка аналоговых сигналов

В связи с тем, что диоды относятся к элементам нелинейного типа, они применяются в детекторах, логарифматорах, экстрематорах, преобразователях частоты и в других устройствах, в которых предполагается нелинейная обработка аналоговых сигналов. В таких случаях диоды используют или как основные рабочие приборы – для обеспечения прохождения главного сигнала, или же в качестве косвенных элементов, например в цепях обратной связи. Указанные выше устройства значительно отличаются между собой и используются для разных целей, но применяемые диоды в каждом из них занимают очень важное место.

2. Выпрямители

Устройства, которые используются для получения постоянного тока из переменного называются выпрямителями. В большинстве случаев они включают в себя три главных элемента – это силовой трансформатор, непосредственно выпрямитель (вентиль) и фильтр для сглаживания. Диоды применяют в качестве вентилей, так как по своим свойствам они отлично подходят для этих целей.

Что такое ШУНТ в электронике [Радиолюбитель TV 92]

3. Стабилизаторы

Устройства, которые служат для реализации стабильности напряжения на выходе источников питания, называются стабилизаторами. Они бывают разных видов, но каждый из них предполагает применение диодов. Эти элементы могут использоваться либо в цепях, отвечающих за опорные напряжения, либо в цепях, которые служат для коммутации накопительной индуктивности.

4. Ограничители

Ограничители – это специальные устройства, используемые для того, чтобы ограничивать возможный диапазон колебания различных сигналов. В цепях такого типа широко применяются диоды, которые имеют прекрасные ограничительные свойства. В сложных устройствах могут использоваться и другие элементы, но большинство ограничителей базируются на самых обычных диодных узлах стандартного типа.

5. Устройства коммутации

Диоды нашли применение и в устройствах коммутации, которые используются для того, чтобы переключать токи или напряжения. Диодные мосты дают возможность размыкать или замыкать цепь, которая служит для передачи сигнала. В работе применяется некоторое управляющее напряжение, под воздействием которого и происходит замыкание или размыкание. Иногда управляющим может быть сам входной сигнал, такое бывает в самых простых устройствах.

6.Логические цепи

В логических цепях диоды применяются для того, чтобы обеспечить прохождение тока в нужном направлении (элементы «И», «ИЛИ»). Подобные цепи используются в схемах аналогового и аналогово-цифрового типа. Здесь перечислены только основные устройства, в которых применяются диоды, но существует и много других, менее распространенных.

Светодиоды

Светодиоды представляют собой полупроводниковые диоды, которые излучают свет при прохождении через них электрического тока. Они могут излучать разные цвета и делятся на такие типы — 3 мм, 5мм, 8мм, SMD 0603, Top type, мигающий диод, диод с резистором, Star PCB, Emitter. В сравнении с традиционными лампами светодиоды обладают многими преимуществами – это экономичность, прочность, яркость света, долговечность, низкий нагрев в процессе работы. Что касается недостатков, то главным из них является цена, так как подобные приборы стоят достаточно дорого. Рассмотрим различные виды светодиодных устройств, которые чаще всего применяются на практике.

1. Одиночные светодиоды

Подобные устройства широко используются в самой разной аппаратуре в качестве лампочек индикации, которые чаще всего свидетельствуют о том, включен или выключен прибор. Кроме того, они применяются для освещения различных небольших пространств, например в автомобилях.

2. 7’Segment

Технология Seven-Segment Display с использованием светодиодов применяется в электронных часах, в различных измерительных приборах и в других технических средствах, которые предполагают отображение цифровой информации на дисплее. В таких целях светодиоды используются еще с 1910 года, но они не потеряли своей актуальности и сейчас. 7’Segment позволяет отображать простейшие данные на дисплее самым простым способом и с низкими энергозатратами.

3. Матрица светодиодов

Светодиодная матрица представляет собой определенное количество светодиодов, которые размещаются на одной площадке. Главные характеристики таких устройств это яркость и размеры. Большое количество применяемых диодов позволяет добиться высоких показателей освещения. Устанавливаются подобные матрицы чаще всего в специальных плафонах, которые могут использоваться в различных местах, например в салоне автомобиля, в его бардачке или в багажнике.

4. LED телевизоры

LED телевизоры – это телевизоры, принцип работы которых основывается на использовании светодиодов. Они дают возможность добиться хорошего качества изображения и позволяют экономить на электроэнергии. Благодаря небольшим размерам таких диодов, телевизионные экраны имеют значительно меньшую толщину, чем у традиционных моделей. Кроме того, подобные устройства характеризуются надежностью и достаточно большим сроком службы. Все телевизоры, изготовленные по этой технологии, имеют боковую подсветку экрана и подсветку за матрицей.

Как видим, несмотря на свою простоту, диоды нашли применение в самых разнообразных технических областях, и без их использования работа многих устройств весьма проблематична. Следует заметить, что диоды находят и новые сферы применения.

Источник: hightolow.ru

Принцип работы и назначение диодов

Диод является одной из разновидностей приборов, сконструированных на полупроводниковой основе. Обладает одним p-n переходом, а также анодным и катодным выводом. В большинстве случаев он предназначен для модуляции, выпрямления, преобразования и иных действий с поступающими электрическими сигналами.

Устройство

Ниже приводится подробное описание устройства диода, изучение этих сведений необходимо для дальнейшего понимания принципов действия этих элементов:

1. Корпус представляет собой вакуумный баллон, который может быть изготовлен из стекла, металла или прочных керамических разновидностей материала.
2. Внутри баллона имеется 2 электрода. Первый является накаленным катодом, который предназначен для обеспечения процесса эмиссии электронов. Самый простейший по конструкции катод представляет собой нить с небольшим диаметром, которая накаливается в процессе функционирования, но на сегодняшний день более распространены электроды косвенного накала. Они представляют собой цилиндры, изготовленные из металла, и обладающие особым активным слоем, способным испускать электроны.
3. Внутри катодакосвенного накала имеется специфический элемент – проволока, которая накаливается под воздействием электрического тока, она называется подогреватель.
4. Второй электрод является анодом, он необходим для приема электронов, которые были выпущены катодом. Для этого он должен обладать положительным относительно второго электрода потенциалом. В большинстве случаев анод также имеет цилиндрическую форму.
5. Оба электрода вакуумных приборов полностью идентичны эмиттеру и базе полупроводниковой разновидности элементов.
6. Для изготовления диодного кристалла чаще всего используется кремний или германий. Одна из его частей является электропроводимой по p-типу и имеет недостаток электронов, который образован искусственным методом. Противоположная сторона кристалла также имеет проводимость, но n-типа и обладает избытком электронов. Между двумя областями имеется граница, которая и называется p-n переходом.

Такие особенности внутреннего устройства наделяют диоды их главным свойством – возможностью проведения электрического тока только в одном направлении.

Назначение

Ниже приводятся основные области применения диодов, на примере которых становится понятно их основное назначение:

1. Диодные мосты представляют собой 4, 6 или 12 диодов, соединенных между собой, их количество зависит от типа схемы, которая может быть однофазной, трехфазной полумостовой или трехфазной полномостовой. Они выполняют функции выпрямителей, такой вариант чаще всего используется в автомобильных генераторах, поскольку внедрение подобных мостов, а также использование вместе с ними щеточно-коллекторных узлов, позволило в значительной степени сократить размеры данного устройства и увеличить степень его надежности. Если соединение выполнено последовательно и в одну сторону, то это повышает минимальные показатели напряжения, которое потребуется для отпирания всего диодного моста.
2. Диодные детекторы получаются при комбинированном использовании данных приборов с конденсаторами. Это необходимо для того, чтобы было можно выделить модуляцию с низкими частотами из различных модулированных сигналов, в том числе амплитудно-модулированной разновидности радиосигнала. Такие детекторы являются частью конструкции многих бытовых потребителей, например, телевизоров или радиоприемников.
3. Обеспечение защиты потребителей от неверной полярности при включении схемных входов от возникающих перегрузок или ключей от пробоя электродвижущей силой, возникающей при самоиндукции, которая происходит при отключении индуктивной нагрузки. Для обеспечения безопасности схем от возникающих перегрузок, применяется цепочка, состоящая из нескольких диодов, имеющих подключение к питающим шинам в обратном направлении. При этом, вход, которому обеспечивается защита, должен подключаться к середине этой цепочки. Во время обычного функционирования схемы, все диоды находятся в закрытом состоянии, но если ими было зафиксировано, что потенциал входа ушел за допустимые пределы напряжения, происходит активация одного из защитных элементов. Благодаря этому, данный допустимый потенциал получает ограничение в рамках допустимого питающего напряжения в сумме с прямым падением показателей напряжение на защитном приборе.
4. Переключатели, созданные на основе диодов, используются для осуществления коммутации сигналов с высокими частотами. Управление такой системой осуществляется при помощи постоянного электрического тока, разделения высоких частот и подачи управляющего сигнала, которое происходит благодаря индуктивности и конденсаторам.
5. Создание диодной искрозащиты. Используются шунт-диодные барьеры, которые обеспечивают безопасность путем ограничения напряжения в соответствующей электрической цепи. В совокупности с ними применяются токоограничительные резисторы, которые необходимы для ограничения показателей электрического тока, проходящего через сеть, и увеличения степени защиты.

Использование диодов в электронике на сегодняшний день весьма широко, поскольку фактически ни одна современная разновидность электронного оборудования не обходится без этих элементов.

Прямое включение диода

На p-n-переход диода может оказывать воздействие напряжение, подаваемое с внешних источников. Такие показатели, как величина и полярность, будут сказываться на его поведении и проводимом через него электрическом токе.

Ниже подробно рассмотрен вариант, при котором происходит подключение плюса к области p-типа, а отрицательного полюса к области n-типа. В этом случае произойдет прямое включение:

1. Под воздействием напряжения от внешнего источника, в p-n-переходе сформируется электрическое поле, при этом его направление будет противоположным относительно внутреннего диффузионного поля.
2. Напряжение поля значительно снизится, что вызовет резкое сужение запирающего слоя.
3. Под воздействием этих процессов значительное количество электронов обретет возможность свободно переходить из p-области в n-область, а также в обратном направлении.
4. Показатели тока дрейфа во время этого процесса остаются прежними, поскольку они напрямую зависят только от числа неосновных заряженных носителей, находящихся в области p-n-перехода.
5. Электроны обладают повышенным уровнем диффузии, что приводит к инжекции неосновных носителей. Иными словами, в n-области произойдет повышение количества дырок, а в p-области будет зафиксирована повышенная концентрация электронов.
6. Отсутствие равновесия и повышенное число неосновных носителей заставляет их уходить вглубь полупроводника и смешиваться с его структурой, что в итоге приводит к разрушению его свойств электронейтральности.
7. Полупроводник при этом способен восстановить свое нейтральное состояние, это происходит благодаря получению зарядов от подключенного внешнего источника, что способствует появлению прямого тока во внешней электрической цепи.

Обратное включение диода

Теперь будет рассмотрен другой способ включения, во время которого изменяется полярность внешнего источника, от которого происходит передача напряжения:

1. Главное отличие от прямого включения заключается в том, что создаваемое электрическое поле будет обладать направлением, полностью совпадающим с направлением внутреннего диффузионного поля. Соответственно, запирающий слой будет уже не сужаться, а, наоборот, расширяться.
2. Поле, находящееся в p-n-переходе, будет оказывать ускоряющий эффект на целый ряд неосновных носителей заряда, по этой причине, показатели дрейфового тока останутся без изменений. Он будет определять параметры результирующего тока, который проходит через p-n-переход.
3. По мере ростаобратного напряжения, электрический ток, протекающий через переход, будет стремиться достичь максимальных показателей. Он имеет специальное название – ток насыщения.
4. В соответствии с экспоненциальным законом, с постепенным увеличением температуры будут увеличиваться и показатели тока насыщения.

Прямое и обратное напряжение

Напряжение, которое оказывает воздействие на диод, разделяют по двум критериям:

1. Прямое напряжение – это то, при котором происходит открытие диода и начинается прохождение через него прямого тока, при этом показатели сопротивления прибора являются крайне низкими.
2. Обратное напряжение – это то, которое обладает обратной полярностью и обеспечивает закрытие диода с прохождением через него обратного тока. Показатели сопротивления прибора при этом начинают резко и значительно расти.

Сопротивление p-n-перехода является постоянно меняющимся показателем, в первую очередь на него оказывает влияние прямое напряжение, подающееся непосредственно на диод. Если напряжение увеличивается, то показатели сопротивления перехода будут пропорционально уменьшаться.

Это приводит к росту параметров прямого тока, проходящего через диод. Когда данный прибор закрыт, то на него воздействует фактически все напряжение, по этой причине показатели проходящего через диод обратного тока являются незначительными, а сопротивление перехода при этом достигает пиковых параметров.

Работа диода и его вольт-амперная характеристика

Под вольт-амперной характеристикой данных приборов понимается кривая линия, которая показывает то, в какой зависимости находится электрический ток, протекающий через p-n-переход, от объемов и полярности напряжения, воздействующего на него.

Подобный график можно описать следующим образом:

1. Ось, расположенная по вертикали: верхняя область соответствует значениям прямого тока, нижняя область параметрам обратного тока.
2. Ось, расположенная по горизонтали: область, находящаяся справа, предназначена для значений прямого напряжения; область слева для параметров обратного напряжения.
3. Прямая ветвь вольт-амперной характеристики отражает пропускной электрический ток через диод. Она направлена вверх и проходит в непосредственной близости от вертикальной оси, поскольку отображает увеличение прямого электрического тока, которое происходит при увеличении соответствующего напряжения.
4. Вторая (обратная) ветвь соответствует и отображает состояние закрытого электрического тока, который также проходит через прибор. Положение у нее такое, что она проходит фактически параллельно относительно горизонтальной оси. Чем круче эта ветвь подходит к вертикали, тем выше выпрямительные возможности конкретного диода.
5. По графику можно наблюдать, что после роста прямого напряжения, протекающего через p-n-переход, происходит медленное увеличение показателей электрического тока. Однако постепенно, кривая достигает области, в которой заметен скачок, после которого происходит ускоренное нарастание его показателей. Это объясняется открытием диода и проведением тока при прямом напряжении. Для приборов, изготовленных из германия, это происходит при напряжении равном от 0,1В до 0,2В (максимальное значение 1В), а для кремниевых элементов требуется более высокий показатель от 0,5В до 0,6В (максимальное значение 1,5В).
6. Показанное увеличение показателей тока может привести к перегреву полупроводниковых молекул. Если отведение тепла, происходящее благодаря естественным процессам и работе радиаторов, будет меньше уровня его выделения, то структура молекул может быть разрушена, и этот процесс будет иметь уже необратимый характер. По этой причине, необходимо ограничивать параметры прямого тока, чтобы не допустить перегрева полупроводникового материала. Для этого, в схему добавляются специальные резисторы, имеющие последовательное подключение с диодами.
7. Исследуя обратную ветвь можно заметить, что если начинает увеличиваться обратное напряжение, которое приложено к p-n-переходу, то фактически незаметен рост параметров тока. Однако в случаях, когда напряжение достигает параметров, превосходящих допустимые нормы, может произойти внезапный скачок показателей обратного тока, что перегреет полупроводник и будет способствовать последующему пробою p-n-перехода.

Основные неисправности диодов

Иногда приборы подобного типа выходят из строя, это может происходить из-за естественной амортизации и старения данных элементов или по иным причинам.

Всего выделяют 3 основных типа распространенных неисправностей:

1. Пробой перехода приводит к тому, что диод вместо полупроводникового прибора становится по своей сути самым обычным проводником. В таком состоянии он лишается своих основных свойств и начинает пропускать электрический ток в абсолютно любом направлении. Подобная поломка легко выявляется при помощи стандартного мультиметра, который начинает подавать звуковой сигнал и показывать низкий уровень сопротивления в диоде.
2. При обрыве происходит обратный процесс – прибор вообще перестает пропускать электрический ток в каком-либо направлении, то есть он становится по своей сути изолятором. Для точности определения обрыва, необходимо использовать тестеры с качественными и исправными щупами, в противном случае, они могут иногда ложно диагностировать данную неисправность. У сплавных полупроводниковых разновидностей такая поломка встречается крайне редко.
3. Утечка, во время которой нарушается герметичность корпуса прибора, вследствие чего он не может исправно функционировать.

Пробой p-n-перехода

Подобные пробои происходят в ситуациях, когда показатели обратного электрического тока начинают внезапно и резко расти, происходит это из-за того, что напряжение соответствующего типа достигает недопустимых высоких значений.

Обычно различается несколько видов:

1. Тепловые пробои, которые вызваны резким повышением температуры и последующим перегревом.
2. Электрические пробои, возникающие под воздействием тока на переход.

График вольт-амперной характеристики позволяет наглядно изучать эти процессы и разницу между ними.

Электрический пробой

Последствия, вызываемые электрическими пробоями, не носят необратимого характера, поскольку при них не происходит разрушение самого кристалла. Поэтому при постепенном понижении напряжения можно восстановить всей свойства и рабочие параметры диода.

При этом, пробои такого типа делятся на две разновидности:

1. Туннельные пробои происходят при прохождении высокого напряжения через узкие переходы, что дает возможность отдельно взятым электронам проскочить через него. Обычно они возникают, если в полупроводниковых молекулах имеется большое количество разных примесей. Во время такого пробоя, обратный ток начинает резко и стремительно расти, а соответствующее напряжение находится на низком уровне.
2. Лавинные разновидности пробоев возможны благодаря воздействию сильных полей, способных разогнать носителей заряда до предельного уровня из-за чего они вышибают из атомов ряд валентных электронов, которые после этого вылетают в проводимую область. Это явление носит лавинообразный характер, благодаря чему данный вид пробоев и получил такое название.

Тепловой пробой

Возникновение такого пробоя может произойти по двум основным причинам: недостаточный теплоотвод и перегрев p-n-перехода, который происходит из-за протекания через него электрического тока со слишком высокими показателями.

Повышение температурного режима в переходе и соседних областях вызывает следующие последствия:

1. Рост колебания атомов, входящих в состав кристалла.
2. Попадание электронов в проводимую зону.
3. Резкое повышение температуры.
4. Разрушение и деформация структуры кристалла.
5. Полный выход из строя и поломка всего радиокомпонента.

Источник: slarkenergy.ru

Tv это в электронике

Чипинфо Сокращения и условные обозначения, применяемые в электронике и электротехнике

Распродажа

Электронные компоненты со склада по низким ценам, подробнее >>>

Документация

Полезная информация

• Где купить
• Кто и что производит
• Система обозначенией Pro Electron
• Сокращения в электронике
• Аналоги и замены

Новости электроники

Популярные материалы

Комментарии

дима пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ827:

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод — это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не «ИК светодиод» и «Светодиод инфракрасный», как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет. пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

ABC (Automatic Beam Control) — автоматическое управление лучем лазера ABC (Absolute Binary Code) — абсолютный двоичный код AC (Alternating Current) — переменный ток ACC (Automatic Color Control) — автоматический контроль цвета ACT (Automatic Color Tracking) — автоматическое слежение за цветом ADC (Analog/Digital Converter) — аналого-цифровой преобразователь (АЦП) ADC (Automatic Degaussing Circuit) — система автоматического размагничевания ADRES (Automatic Dynamic Range Expansion System) — автоматическое устройство расширения динамического диапазона AF (Audio Frequency) — звуковая частота AFBS (Acoustic FeedBack System) — акустическая обратная связь AFC (Automatic Frequency Control) — автоматическое управление частотой AFD (Acoustic Flat Diaphragm) — громкоговоритель с плоским диффузором AFT (Automatic Fine Tuning) — точная автоматическая настройка AGC (Automatic Gain Control) — автоматическая регулировка усиления (АРУ) ALC (Automatic Level Control) — автоматическая регулировка уровня ALU (Arithmetic Logic Unit) — арифметико-логическое устройство AM (Amplitude Modulation) — амплитудная модуляция AND — логический элемент «И» ANSI (American National Standart Institute) — Американский национальный институт стандартов ASA (American Standarts Association) — Американское общество стандартов ASCII (American Sdandart Code for Information Interchange) — Американский стандартный код для обмена информацией ASD (Application Specific Discretes) — специализированные дискретные компоненты ATR (Answer To Reset) — отклик на сигнал сброса AWB (Automatic White Balance) — автоматический баланс белого

BLC (BackLight Compensation) — компенсация переотраженного света BNC (Baby N-Connector) — разьем типа «бэби N»

CAI (Color Accutance Improvement) — схема улучшения цветопередачи CCD (Charge Coupled Device) — прибор с зарядовой связью (ПЗС) CCIR (International Radio Consultative Commitee) — Международный консультативный комитет по радиовещанию (МККР) CD (Capacitor Diode) — варикап CD (Compact Disk) — компакт-диск CDT (Color Display Tube) — трубка цветного дисплея CMOS (Complementary Metal-Oxide-System) — комплементарная метал-окисел-полупроводник (КМОП) структура CPU (Central Processing Unit) — центральный процессор CRC (Cycling Redundancy Check) — циклически избыточный код CRT (Cathode Ray Tube) — электронно-лучевая трубка CSP (Chip Scale Package) — корпус с размерами кристалла CT (Computed Tomography) — компьютерная томография CTI (Color Transient Improvement) — регулировка насыщенности цвета

DAC (Digital-Analog Converter) — цифроаналоговый преобразователь (ЦАП) DAQ (Data Acquistion) — сбор данных DC (Direct Current) — постоянный ток DC (Duo Cone) — диффузорная широкополосная головка громкоговорителя DCP (Digital Contour Processing) — цифровая обработка контуров DF (Demping Factor) — коэффициент затухания DIAC (Diode Alternating Current Switch) — диодный переключатель переменного тока (динистор) DIMM (Dial In-line Memory Module) — модуль памяти с двухрядным расположением выводов DIP (Dual In Package) — корпус ИС с двухрядным расположением выводов DMA (Direct Memory Access) — прямой доступ к памяти DNR (Dynamic Noise Reduction) — динамическое шумоподавление DP (Dynamic Power) — динамическая мощность dpi (dot per inch) — точек на дюйм DPO (Dynamic Power Output) — динамическая выходная мощность DRA (Dynamic Resonance Absorber) — демпфер резонансных колебаний DRIE (Deep Reactive Ion Etching) — глубокое реактивное ионное травление DSL (Dynamic Super Loudness) — расширитель динамического диапазона DTL (Diode Transistor Logic) — диодно-транзисторная логика (ДТЛ) DTTV (Digital Terrestrial TV) — всемирное цифровое телевидение

EAROM (Electrically Alterable Read Only Memory) — электрически перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство EBU (European Broadcasting Union) — Европейский союз радиовещания ECL (Emitter Coupled Logic) — эмиттерно связанная логика (ЭСЛ) EIAJ (Electronic Industries Association of Japan) — Японская ассоциация отраслей электронной промышленности ELSI (Extra Large Scale Integration) — сверхвысокая степень интеграции EMI (Electromagnetic Interference) — электромагнитная помеха EMIF (External Memory Interface) — интерфейс внешней памяти ENG (Equivalent Noise Generator) — эквивалентный генератор шума ESD (Electrostatic Discharge) — электростатический разряд ETC (Electronic Tipp Control) — псевдосенсорное электронное управление ETANN (Electronically Trainable Artificial Network) — обучаемая искусственная нейросеть EVF (Electronic ViewFinder) — электронный видоискатель EVR (Electronic Video Recoding) — электронная видеозапись

FAPS (Flexible Automated Production System) — гибко автоматизированная система производства (ГАП) FAMOS (Floating Gate Avalanche Injection MOS) — МОП-транзистор с «плавающим» затвором и лавинной инжекцией заряда FCC (Federal Communications Commission) — федеральная комиссия связи FET (Field Effect Transistor) — полевой транзистор FF (Flip-Flops) — триггер FG (Frequency Generator) — генератор частоты FIR (Finite Input Response) — конечный входной отклик FLOTOX (Floating Gate Tunnel-Oxide) — «плавающий» затвор с туннелированием в окисле FM (Frequency Modulation) — частотная модуляция FPM (Fast Page Mode) — быстрый постраничный режим FSO (Full-Span Output) — выход полного диапазона

GMSK (Gaussian Minimum Shift Keying) — гауссовская манипуляция с минимальным частотным сдвигом GPS (Global Positioning System) — глобальная система позиционирования

HDTV (High Definition Television) — телевидение повышенной четкости HF (High Frequency) — высокая частота HQ (High Quality) — высокое качество HTL (High Threshold Logic) — логическая схема с высоким пороговым напряжением

IA (Integrated Adapter) — встроенный блок сетевого питания IAC (Interference Absorption Circuit) — электронная схема поглощения интерференционной помехи IC (Integrated Circuit) — интегральная микросхема ICC (Integrated Circuit Card) — смарт-карта IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) — Институт инженеров по электротехнике и электронике IIR (Infinite Impulse Response) — бесконечная импульсная характеристика IF (Intermediate Frequency) — промежуточная частота IIL (Integrated Injection Logic) — интегральные инжекционные логические схемы IP (Intellectual Property) — интеллектуальная собственность IP (Internet Protocol) — протокол сети Интернет IPM (Intelligent Power Module) — «интеллектуальный» силовой модуль (ИСМ) IR (Infra-Red) — инфракрасный IR (Internal Resistance) — внутреннее сопротивление ISA (Industry Standart Architecture) — стандартная промышленная архитектура ISDN (Integrated Services Digital Network) — интегральная цифровая сеть связи с комплексными услугами ISO (International Organization for Standartisation) — Международная организация по стандартизации ITL (Input TransformLess) — бестрансформаторный вход I 2 /L (Integrated Injection Logic) — интегральная инжекционная логика (И 2 /Л)

JIS (Japanese Industrial Standart) — Японский промышленный стандарт

LAN (Local Area Network) — локальная сеть LCD (Liquid Crustal Display) — жидкокристалический индикатор (ЖКИ) LDO (Low DropOut) — малое падение напряжения LED (Light Emitting Diode) — светодиод LISA (Lateral Integrated Silicon Accelerometer) — боковой интегральный кремниевый акселерометр LPC (Line protection Component) — компонент защиты линии LSI (Large Scale Integration) — высокая степень интеграции

MAC (Media Access Controller) — контроллер доступа к среде MAC (Multiplier-Accumulator) — умножитель-аккумулятор MAC (Multiply And Accumulate) — умножение с накоплением MCC (Micro-Computer Controlled) — микропроцессорная система управления MDT (Magnitostrictive Displacement Transducer) — магнитострикционный преобразователь смещения MF (Medium Frequency) — средняя частота MLC (Multilayer Capacitor) — многослойный конденсатор MMI (Man-Machine Interface) — интерфейс взаимодействия человека с аппаратурой MMIC (Monolitic Microwave IC) — монолитная СВЧ интегральная схема (ИС) MML (Maximum Modulation Level) — максимальный уровень модуляции MOL (Maximum Output Level) — максимальный уровень выходного сигнала MOS (Metal Oxide Semiconductor) — структура метал-окисел-полупроводник (МОП) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) — полевой транзистор с МОП (метал-оксид-полупроводник) структурой затвора MOV (Metal Oxide Varistor) — варистор на основе окиси металла MPO (Maximum Power Output) — максимальная выходная мощность MPU (Microprocessor Unit) — микропроцессор MRI (Magnetic Renonance Imaging) — отображение магнитного резонанса MSG (Memory Safe Guard) — защита содержимого памяти MSI (Memory Scale Integration) — средняя степень интеграции

NA (Numbered Aperture) — числовая апертура NAND — логический элемент «И-НЕ» NFB (Negative FeedBack) — отрицательная обратная связь NMOS (N channel Metal Oxide Semiconductor) — метал-окисел-полупроводник (МОП) структура с N-каналом NOR — логический элемент «ИЛИ-НЕ» NOT — логический элемент «НЕ» NPC (Noise Protection Circuit) — схема защиты от шума NTSC (National Television Standart Code) — Национальный телевизионный стандартный код

OFDM (Orthogonal Frequency Division Multiplexing) — ортогональное мультиплексирование деления частоты OB (Optical Black) — оптический уровень черного OCL (Output CapacitorLess) — безьемкостный выход OPC (Optical Picture Control) — оптимальная регулировка изображения OTL (Output TransformLess) — бестрансформаторный выход OR — логический элемент «ИЛИ»

PAL (Phase Alternation Line) — построчное изменение фазы PCB (Printed Circuit Board) — печатная плата PCI (Peripheral Component Interconnect) — локальная шина соединения периферийных устройств PCM (Pulse Code Modulation) — импульсно-кодовая модуляция (ИКМ) PCS (Personal Communications Services) — персональные услуги связи PDA (Personal Digital Assistant) — персональное информационное устройство PEM (Processor Expansion Module) — модуль расширения процессора PGA (Programmable-Gain Amplifier) — усилитель с программируемым усилением PIP (Picture In Picture) — картинка в картинке PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) — пластмассовый кристаллоноситель PLL (Phase Locked Loop) — система фазовой автоподстройки частоты (ФАПС) PMOS (P chanel metal oxide semiconductor) — метал-оксид-полупроводник (МОП) структура с P-каналом ppm (part per million) — промиль (миллионная часть) PPS (Polyphenylene Sulfide) — сульфид полифенилена psi (pound on square inch) — фунт на квадратный дюйм PSTN (Public Switched Telephone Network) — коммутируемая телефонная линия PTC (Positive Temperature Coefficient) — положительный температурный коэффициент PTS (Protocol Type Selection) — правила выбора протокола PWD (Pulse Width Distortion) — искажение ширины импульса PWM (Pulse Width Modulation) — широтно-импульсная модуляция (ШИМ)

RC (Remote Control) — дистанционное управление RF (Radio Frequency) — радиочастота RFI (Radio Frequency Interference) — радиопомеха RISC (Reduced Instruction Set Computer) — компьютер с сокращенным набором команд RIT (Receiver Incremental Tunning) — малая расстройка радиоприемника RMS (Root Mean Square) — среднеквадратичное действующее значение RPM (Revolutions Per Minute) — оборотов в минуту RPS (Revolutions Per Second) — оборотов в секунду RTL (Resistor-Transistor Logic) — резисторно-транзисторная логика

SA (Separate Amplifiers) — раздельные усилители SAW (Surface Acoustic Wave) — поверхностная акустическая волна (ПАВ) SBC (Single Board Computer) — одноплатный компьютер SCSI (Small Computer System Interface) — интерфейс малых сомпьютерных систем SCR (Asymmetrycal Thyristor) — асимметричный тиристор SDN (Services Digital Network) — цифровая сеть связи с комплексными услугами SDH (Synchronous Digital Hierarchy) — синхронная цифровая иерархия SDS (Signal Distribution System) — система распределения сигнала SEC (Secondary Electron Conduction) — вторичная электронная эмиссия SLIC (Subscriber Line Interface Circuit) — интерфейс абонентской телефонной линии SLTS (Servo Lock Tuning System) — сервопетля подстройки SMPTE (Society of Motion Picture and Television Engineers) — Общество кино- и телеинженеров США SPD (Serial Presence Detect) — обнаружение присутсвия последовательности SPDT (Single-Pole Double-Throw) — однополюсная группа переключающих контактов SPI (Serial Peripheral Interface Protocol) — протокол последовательного периферийного интерфейса SPL (Sound Pressure Level) — уровень звукового давления SSI (Small Scale Integration) — малый уровень интеграции SSR (Solid-State Relay) — полупроводниковое (твердотельное) реле SWR (Standing Wave Level) — коэффициент стоячей волны

TFT (Thin Film Transistor) — тонкопленочный транзистор THD (Total Harmonic Distortion) — суммарное значение коэфиициента нелинейных искаженией TP (Telephone Pickup) — телефонное гнездо TSOP (Thin Small Outline Package) — тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами TTL (Transistor-Transistor Logic) — транзисторно-транзисторная логика TVS (Transient Voltage Supression) — подавление выбросов напряжения

UART (Universal Asynchronous Receiver/Transmitter) — универсальный асинхронный интерфейс UHF (Ultra High Frequency) — сверхвысокая частота (СВЧ) UJT (UniJunction Transistor) — однопереходной транзистор ULM (Ultra Low Mass) — сверхлегкий UNI (User Network Interface) — интерфейс сети пользователя

VCP (Video Communication Processor) — процессор видеоконференции VCR (Video Cassette Recorder) — кассетный видеомагнитофон VF (ViewFinder) — видоискатель VFD (Vacuum Fluorescent Display) — вакуумный люминесцентный дисплей VHDCI (Very High Density Cable Interface) — кабельный интерфейс сверхвысокой плотности VHF (Very High Frequency) — очень высокая частота (ОВЧ) VLF (Very Low Frequency) — очень низкая частота VLSI (Very Large Scale Integration) — сверхбольшая степень интеграции (СБИС) VRM (Voltage Regulator Module) — модуль стабилизатора напряжения VSOP (Very Small Outline Package) — сверхтонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами VSWR (Voltage Standing-Wave Ratio) — коэффициент стоячей волны по напряжению (КСВН) VTR (Video Tape Recorder) — видеомагнитофон VU (Volume Unit) — единица усредненной громкости

WAAS (Wide Area Augmentation System) — система панорамного обзора WBL (Wide Blanking Pulse) — широкий гасящий импульс WRMS (Wow Root Mean Square) — среднеквадратичное значение коэффициента детонации

ZD (Zero Drive) — шумоподавитель ZIF (Zero Insertion Force) — с нулевым усилием установки

Источник: www.chipinfo.ru