Видеопамять микрон или Самсунг

Micron планирует выпустить GDDR7 в начале следующего года

Компания Micron подтвердила, что готовится представить графическую память нового поколения GDDR7, изготовленную по технологии 1X нм. В ходе отчёта за III квартал 2023 финансового года руководство компании сообщило о готовности к выпуску памяти GDDR7, не сообщая каких-либо деталей.

В настоящее время GDDR6 обладает скоростью 20 Гб/с . Такие чипы используются в серии карт Radeon RX 7900. В то же время технология Micron GDDR6X, применяемая в NVIDIA RTX 40, достигает скорости 22,4 Гб/с в RTX 4080. Очевидно, что GDDR7 будет быстрее, вот только насколько?

Модули памяти Micron

Скорее всего, первое поколение памяти не будет столь же быстрым, как последующие. К примеру, GDDR6 изначально обеспечивала пропускную способность 14 Гб/с . В то же время сейчас Samsung выпускает GDDR6 со скоростью 24 Гб/с .

С переходом на GDDR7 производители памяти получат не только прирост пропускной способности, но и возможность сэкономить на ширине шины, получив сравнимую скорость передачи данных.

Гайд по видеопамяти и как выглядит действительно новая память

Что касается первых решений на основе GDDR7, то их появление также ожидается в 2024 году.

NVIDIA GeForce RTX 3090 Ti получит память GDDR6X

Готовящаяся видеокарта NVIDIA GeForce RTX 3090 Ti получит видеопамять от Micron со скоростью 21 Гб/с . Такую информацию опубликовал тайваньский магазин Uniko’s Hardware, который часто выдаёт ранние сведения о продуктах. Добиться такой скорости передачи данных станет возможно благодаря применению памяти типа GDDR6X от Micron.

Память, которая будет установлена в новой топовой видеокарте, получила кодировку MT61K512M32KPA-21U. Она будет поставлена в модулях по 16 Гб (2 ГБ ). Ранее компания не могла использовать 2 ГБ микросхемы GDDR6X, поскольку они просто не существовали на рынке. Ей приходилось полагаться на память GDDR6 даже в продуктах для центров обработки данных, несмотря на высокие требования к объёму. В результате NVIDIA устанавливала по 24 модуля памяти на картах RTX 3090.

NVIDIA GeForce RTX 3090

Благодаря использованию новой памяти количество микросхем будет сокращено до 12. Это заметно упростит конструкцию печатной платы видеокарты и избавит от необходимости охлаждать заднюю плиту, поскольку сейчас половина микросхем GDDR6 расположена именно на обратной стороне платы. Однако карта не станет холоднее. По слухам, RTX 3090 Ti будет потреблять 450 Вт, что на 100 Вт больше, чем у нынешней модели без «Ti».

В основе RTX 3090 Ti ляжет графический процессор GA102 с 10752 ядрами CUDA . Шина памяти составит 384 бита, что позволит достичь общей пропускной способности в 1 ТБ/с , впервые в истории бренда.

Карта RTX 3090 Ti ожидается в январе.

Источник: nvworld.ru

Видеопамять микрон или самсунг

Улучшения в GDDR7 включают повышение производительности в 1,4 раза и повышение энергоэффективности на 20% по сравнению с существующей памятью GDDR6 с ее 24 Гбит/с.

Одинаковые видеокарты, разная память: Hynix Elpida Micron Samsung. Различия в майнинге

реклама

В среду Samsung сообщила о том, что завершила разработку первого в компьютерной отрасли модуля видеопамяти GDDR7 для высокопроизводительных вычислений (HPC). Это значит, что открывается возможность ее использования компаниями AMD и Nvidia в будущих видеокартах, которые появятся в 2024 году. Это также знаменует собой поворотный момент для отрасли, которая использует GDDR6 с 2018 года, когда она впервые появилась в линейке видеокарт Nvidia Turing. Она обещает значительный скачок в производительности и эффективности по сравнению с GDDR6 и является отличной новостью для всех энтузиастов и геймеров.

реклама

Южнокорейская компания утверждает, что новые модули видеопамяти обеспечат значительный прирост производительности по сравнению с GDDR6(x). Для флагманских графических процессоров с 384-битной шиной пиковая пропускная способность памяти увеличется до 1,5 Терабита в секунду по сравнению с 1,1 Терабитом в секунду на современных графических процессорах. Что касается других характеристик — повышенная скорость на вывод модуля GDDR7 объемом 16 Гбайт составляет 32 Гбит/с, тем самым обеспечивая впечатляющую пропускную способность в 1,5 терабит в секунду. Для сравнения, на самом быстром чипе GDDR6X скорость передачи данных 22,4 Гбит/с, которая обеспечивает пиковую пропускную способность 1,1 Терабит в секунду, согласно данным Tom’s Hardware.

Графические процессоры следующего поколения, безусловно, будут адаптированы к новому стандарту памяти, который обеспечивает значительный прирост производительности и эффективности по сравнению с GDDR6.

Повышение скорости достигается за счет увеличения пропускной способности на контакт, которая может достигать 32 Гбит/с. Samsung GDDR7 также переключается на передачу данных с импульсной амплитудной модуляцией (PAM3) вместо использовавшегося ранее метода без возврата к нулю (NRZ), который позволяет пропускать до 50% больше данных за 1 цикл.

Samsung утверждает, что ее память GDDR7 на 20% более эффективна, чем ее технология GDDR6. Компания сообщила, что она также снизила тепловое сопротивление на 70% по сравнению со своим предшественником за счет перехода на эпоксидный формовочный компаунд (EMC) для упаковочного материала и архитектурных изменений, которые повысили эффективность. Она также предложит версию с низким напряжением для чувствительных к теплу сред, таких как ноутбуки.

Несмотря на громкое заявление компании Samsung, неясно, сможет ли она опередить своего конкурента на рынке с реальными модулями GDDR7 в потребительских устройствах. Несколько недель назад Micron объявила в отчете о прибылях и убытках, что ее модули GDDR7 поступят на рынок в первой половине 2024 года. Это совпадает с планами Samsung, которая говорит, что она будет использовать новый тип памяти в “тестовом режиме” в этом году, что указывает на то, что он будет официально выпущен в следующем году.

Источник: overclockers.ru

Об особенностях памяти GDDR6X

1 сентября 2020 года компания Micron Technology, Inc объявила о выпуске чипов памяти GDDR6X, которые преодолели порог пропускной способности в 1 терабайт в секунду.

Эта память будет устанавливаться в видеокартах Nvidia GeForce RTX 30-й серии с архитектурой Ampere (RTX 3090, 3080 и 3070). Эти GPU будут в 2 раза более мощными при проведении многопотоковых вычислений и в 1,9 раз более энергоэффективными, чем предыдущее поколение Turing (RTX2000-я серия).

Видеокарты RTX 3090, 3080 и 3070 будут иметь рекомендованную цену в 1499, 699 и 499 долларов соответственно. Их выпуск запланирован по следующему графику:

• 24.09 – флагман RTX 3090;
• 17.09 – RTX 3080;
• октябрь 2020 года – RTX 3070.

Новые видеокарты будут иметь пропускную способность шины памяти на уровне 912-1008 GB/s, что обеспечит хешрейт при майнинге на алгоритме Ethash до 100-120 mh/s при потреблении порядка 300 ватт! Огромную роль в увеличении производительности подсистемы памяти новых видеокарт будет играть память GDDR6X. Рассмотрим подробнее ее особенности.

Какие особенности имеют модули памяти GDDR6X?

Модули памяти GDDR6X являются разработкой фирмы Микрон, где работа над их выпуском началась в 2017 году. Они дают выигрыш в производительности не менее 30% от предыдущих поколений памяти:

FBGA-чипы GDDR6X работают под напряжением 1,35 и 1,25 вольт при температуре от 0 до +95 градусов. Они имеют размер, идентичный чипам GDDR6 (12х14х0,75 мм) и те же 180-контактов.

Таблица характеристик памяти GDDR6X производства Micron в сравнении с чипами предыдущих поколений:

Характеристика памятиGDDR5GDDR5XGDDR6GDDR6X

Плотность хранения данных	От 512Mb до 8Gb	8Gb	8Gb, 16Gb	8Gb, 16Gb
Напряжения VDD и VDDQ	1.5V или 1.35V	1.35V	1.35/1.25V	1.35V или 1.25V
VPP	–	1.8V	1.8V	1.8V
Скорость передачи данных	до 8 Gb/s	до 12Gb/s	до 16 Gb/s	19 и 21 Gb/s, >21 Gb/s
Количество каналов	1	1	2	2
Гранулярность доступа, байт	32	64 2x 32 в псевдо 32B режиме	2 канала x 32	2 канала x 32
Длина пакета данных	8	16 / 8	16	8 в режиме PAM4 16 в режиме RDQS
Кодирование сигнала	POD15/POD135	POD135	POD135/POD125	PAM4 POD135/POD125
Корпус	BGA-170 14mm x 12mm 0.8mm ball	BGA-190 14mm x 12mm 0.65mm ball	BGA-180 14mm x 12mm 0.75mm 0.34 ball	BGA-180 14mm x 12mm 0.75mm 0.34 ball
Ширина шины I/O	x32/x16	x32/x16	2 канала x16/x8	2 канала x16/x8
Количество сигналов	61 – 40 DQ, DBI, EDC – 15 CA – 6 CK, WCK	61 – 40 DQ, DBI, EDC – 15 CA – 6 CK, WCK	70 or 74 – 40 DQ, DBI, EDC – 24 CA – 6 or 10 CK, WCK	70 or 74 – 40 DQ, DBI, EDC – 24 CA – 6 or 10 CK, WCK
PLL, DCC	PLL	PLL	PLL, DCC	DCC
CRC	CRC-8	CRC-8	2x CRC-8	2x CRC-8
VREFD	External or internal per 2 bytes	Internal per byte	Internal per pin	Internal per pin 3 sub-receivers per pin
Equalization	N/A	RX/TX	RX/TX	RX/TX
VREFC	Наружная	Наружная или внутренняя	Наружная или внутренняя	Наружная или внутренняя
Self refresh (SRF)	Да Temp. Controlled SRF	Да Temp. Controlled SRF Hibernate SRF	Да Temp. Controlled SRF Hibernate SRF VDDQ-off	Да Temp. Controlled SRF Hibernate SRF VDDQ-off
Scan	SEN	IEEE 1149.1 (JTAG)	IEEE 1149.1 (JTAG)	IEEE 1149.1 (JTAG)

В настоящее время выпускается два вида модулей памяти GDDR6X:

• MT61K256M32JE-19 – двухканальные модули x16/x8 GDDR6X SGRAM с быстродействием 19 Gb/s (есть 2-канальные 256 Meg x 16 I/O и2-канальные 512 Meg x 8 I/O);
• MT61K256M32JE-19 – модули быстродействием 21 Gb/s (на видеокартах будут доступны в 2021 году).

Каждый 8 гигабайтный чип содержит 16 внутренних банок сгруппированных по четыре и способен хранить 8,589,934,592 битов.

Маркировка модулей памяти GDDR6X фирмы Micron расшифровывается так:

Размеры и размещение контактов на микросхемах GDDR6X на примере спецификаций MT61K256M32:

Блок-схема работы чипов памяти GDDR6X:

Адресация памяти типа GDDR6X:

Типовые напряжения, на которых работают микросхемы памяти GDDR6X:

Максимальная рабочая температура полупроводниковых элементов памяти GDDR6X такая же, как и у GDDR5/GDDR5X – 100 градусов по Цельсию. Для справки далее приводятся максимальные рабочие температуры памяти различных типов.

Таблица максимальных температур на полупроводниковых элементах различных видов памяти (первая часть):

Таблица максимальных температур на полупроводниковых элементах различных видов памяти (вторая часть):

Как работает память GDDR6X?

В памяти GDDR6X для передачи данных более эффективно используются цифровые импульсы. В них используется управляемое изменение амплитуды в пределах одного такта. Вместо обычных бинарных импульсов POD135/POD125, имеющих всего два конечных состояния, используются импульсы PAM4 POD135/POD125 с четырьмя состояниями, отличающимися по величине напряжения:

За счет оптимизации кодирования сигнала по амплитуде прямоугольных импульсов в пределах одного такта можно передать больше информации и в два раза увеличить быстродействие, не увеличивая частоту шины.

Заключение

Выпуск видеокарт с памятью GDDR6X является серьезным шагом в увеличении производительности широкодоступных вычислительных устройств.

После их массового распространения серьезно изменится ситуация в игровой индустрии, сфере майнинга и других областях, связанных с высокопроизводительными вычислениями.

Картина окружающего на мира будет все более меняться в сторону виртуализации, в которой нам желательно оставаться людьми…

Вам также может понравиться

Переделка разветвителя питания PCI-E 6+2 pin в переходник 8-пин CPU-PCI-E

25 июня, 2019

Подключение к электросети оборудования для майнинга

7 марта, 2020

Источник: www.cryptoprofi.info