Что такое микросхема памяти в телевизоре

Центральный процессор опрашивает память в момент включения, а также может обращаться к ней в процессе работы телевизора каждые несколько секунд. Все это зависит от того, какая программа заложена в самом процессоре. Процессор управления знает, что по адресу 0001А в памяти хранится информация о размере растра, а по адресу 00019, какой должен быть размах сигнала красного цвета. В памяти находится информация о частоте строчной развертки, например, в телевизорах SONY.

Узнать, какие именно ячейки памяти читает процессор, а попутно выявить некоторые дефекты, поможет устройство под
названием логический анализатор (монитор шины). О замене памяти: менять память можно только большей по объему. Просто в этом случае память будет использована не полностью, а только та часть, к которой обращается процессор. Например, 24С01 менять можно на 24С02. 24С16, но цена на микросхему возрастает при увеличении объема внутренней памяти.

При этом следует учитывать различия в протоколе обмена, например, 24С08 можно заменить на 24С16, но нельзя на 24С32. 93С56 можно заменить на 93С66, но нельзя на 93С76.

Замена микрохемы памяти в телевизоре

Микросхемы некоторых фирм могут иметь отличия во временных характеристиках, протоколе и назначении и расположении выводов — тогда возможна только прямая замена. Иногда случается так, что предыдущие мастера (или даже производители)уже поставили большую по объему микросхему.

В таком случае установить истину (если очень хочется), поможет только сервис-мануал.Уважаемые мастера, радиолюбители, электромонтеры — объясняю. Микросхемы памяти бывают, например, стандарта 12С (то есть 24С01, 24С02, 24С04, 24С08, 24С16 и тд.), MicroWire (93C06, 93С46, 93С56, 93С66, 93С86 и тд.), SPI (25С010, 25С020, 25С040, 25С080) и другие. Внутри каждой группы они отличаются между собой размером внутренней памяти. Для 12С 01 = 128 байт, 02 = 256 байт, 04 = 512 байт, 08 = 1 Кб и т.д., но не всегда большее число соответствует большему объему.

Все это EEPROM — энергонезависимая память. Именно память стандарта EEPROM больше всего распространена в радиоаппаратуре для хранения параметров и настроек. Поэтому нам, телемастерам или ремонтникам, необходимо собрать или приобрести программатор, который поддерживал как можно больше видов или типов EEPROM.

———————————————————————————
MaskROM — Масочные ПЗУ
Это наиболее старое семейство микросхем ЭП. Информация в такую память заноситься в процессе изготовления кристалла и в дальнейшем не может изменяться. Многолетняя популярность MaskROM обуславливалась низкой ценой при крупносерийном производстве. В настоящее время, в связи с резким снижением цен на программируемую и перепрограммируемую память, применяются редко. Наиболее распространенные микросхемы этого семейства — серия 23xxx.

PROM — Программируемые ПЗУ
Первыми программируемыми ПЗУ, пришедшими на смену MaskROM, стали микросхемы памяти на базе плавких перемычек (например, распространенные десять лет назад отечественные серии К556 и К1556). Возможность самостоятельной записи информации в них делало их пригодными для штучного и мелкосерийного производства. Наиболее существенными недостатками были большой процент брака и необходимость специальной длительной термической тренировки, без которой надежность хранения данных была невысокой. В настоящее время, также почти не применяются.

ФЛЕШКА в ТЕЛЕВИЗОРЕ.Что она там делает? А если ее убрать?

EPROM
Различные источники по разному расшифровывают аббревиатуру EPROM — Erasable Programmable ROM или Electrically Programmable ROM (стираемые программируемые ПЗУ или электрически программируемые ПЗУ). Обычно, так называют популярные микросхемы серии 27xxx (отечественный аналог — серия К573).
Основу этой серии составляют ПЗУ, стираемые ультрафиолетовым излучением. Корпуса таких микросхем имеют окно из кварцевого стекла. Данные хранятся в виде зарядов плавающих затворов МОП-транзисторов, упрощенно говоря, представляющих собой конденсаторы с очень низкой утечкой заряда.
Многие производители памяти выпускают серию 27xxx также в исполнении «OTP» — One Time Programmable — однократно программируемые (те же кристаллы, но в дешевом пластиковом корпусе без кварцевого окна).
В последнее время получили широкое распространение электрически стираемые модификации EPROM производства фирм Winbond и SST, также выпускаемые в пластиковых корпусах.

Flash и EEPROM
Главной отличительной особенностью Flash (FlashROM, Flash-memory, Flash-память) и EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM — электрически стираемые ППЗУ) от других микросхем ЭП является возможность их перепрограммирования при подключении к стандартной системной шине микропроцессорного устройства. Для Flash перед записью требуется выполнить стирание (полное или поблочное), а для EEPROM стирание каждой ячейки выполняется автоматически при записи в нее новой информации, т.е. можно изменить данные в любой ячейке, не затрагивая остальных.
Существуют микросхемы Flash-памяти с автоматическим постраничным автостиранием и очень мелкой разбивкой на страницы, что приближает их по возможностям к EEPROM.
Широко применяются также Flash и EEPROM с доступом к информации по последовательному каналу (Serial Flash, Serial Data Flash, Serial EEPROM или SEEPROM). В этом случае, адреса, данные и управляющие команды передаются последовательно побитно по одному проводу и синхронизируются импульсами на тактовом входе. При этом используются различные последовательные шины (2-х, 3-х и 4-х проводные), как стандартные, так и нестандартные, чаще всего I2C, Microwire, SPI и др. Преимущество последовательных микросхем в малых габаритах и минимальном количестве линий ввода-вывода, необходимых для их подключения к микропроцессору или микроконтроллеру, хотя скорость обращения к ним значительно ниже. Подавляющее большинство последовательных EEPROM выполнены в 8-выводных корпусах.
Самые распространенные серии Flash — 28Fxxx, 29F/C/EExxx, 39SFxxx (параллельные), 45Dxxx (последовательные), EEPROM — 28Cxxx (параллельные), 24Cxxx, 93Cxxx, 25Cxxx (последовательные).

Non-volatile RAM (NVRAM), FRAM
Понятие «Энергонезависимое ОЗУ» (Non-volatile RAM или NVRAM) включает в себя несколько подсемейств памяти. Все они отличаются от других видов ЭП моментальной записью. Поэтому, вместо термина «программирование», по отношению к этим микросхемам обычно применяют термин «запись».
Первая разновидность NVRAM представляет собой обычные статические ОЗУ со встроенным элементом питания (чаще всего литиевым) и усиленной защитой от искажения информации в момент включения и выключения питания. Важным преимуществом этих микросхем является неограниченное количество циклов перезаписи (для EPROM, Flash и EEPROM оно обычно составляет от одной тысячи до 100 миллионов). Мировым лидером производства такой памяти является фирма Dallas Semiconductor.
Другой разновидностью NVRAM являются микросхемы, содержащие на одном кристалле энергозависимое ОЗУ (RAM) и резервную EEPROM-память, с возможностью сохранения (копирования) содержимого ОЗУ в EEPROM и обратного восстановления данных из EEPROM в ОЗУ. Многие из этих микросхем имеют функцию автоматического восстановления данных из EEPROM в ОЗУ при включении питания. Подразделяются на последовательные и параллельные.
Новое поколение NVRAM, при изготовлении которых используются самые современные технологии с применением материалов — ферроэлектриков (FRAM), не требуют для хранения информации никакого элемента питания, сохраняя все остальные свойства обычных ОЗУ. Часто выпускаются в виде микросхем, полностью совместимых по расположению выводов, алгоритмам и протоколам, и даже совпадающие по маркировке с последовательными и параллельными EEPROM. Примером может служить серия 24Cxx фирмы Ramtron. Количество циклов перезаписи для FRAM обычно составляет 10 миллиардов.

Внутренняя память микроконтроллеров
Большинство современных микроконтроллеров имеют встроенную энергонезависимую память программ (MaskROM, OTP EPROM, Flash или EEPROM), а многие — также дополнительную память данных (EEPROM или Flash). Все вышеописанные свойства этих видов ЭП относится и к встроенной памяти микроконтроллеров.
Фирма Atmel использует для своих программируемых в процессе производства и однократно программируемых пользователем микроконтроллеров термин QuickFlash. По своим свойствам такая память полностью соответствует MaskROM или OTP EPROM.
Понятие FlexROM используется фирмой Microchip для обозначения программируемых в процессе изготовления PIC-контроллеров. Аналогично MaskROM.

Примечание расшифровка «ПЗУ» уточняющими приставками: ППЗУ — программируемые ПЗУ, СППЗУ — стираемые ППЗУ, РПЗУ — репрограммируемые ПЗУ (PROM — Programmable ROM, EPROM — Erasable PROM, EEPROM — Electrically Erasable PROM) и т.д.

Источник: data-chip.ru

МИКРОСХЕМЫ ПАМЯТИ

Принципиально микросхемы памяти делятся на энергонезависимые, не теряющие информацию при выключении питания, и энергозависимые, содержимое которых при каждом включении считается неопределенным. Первые из них предназначены для хранения программ, констант, таблиц и других, не меняющихся или редко меняющихся данных, и называются ПЗУ (постоянные запоминающие устройства).

Вторые предназначены для временного хранения данных, возникающих в процессе функционирования устройства, и называются ОЗУ (оперативные запоминающие устройства). В свою очередь, ПЗУ классифицируются по способу занесения информации и по способу ее стирания, если только такая возможность существует в данном классе ПЗУ.

Самым дешевым способом записи является масочное программирование в процессе изготовления кристалла. Микросхемы ЗУ с <прошитой>информации — ROM (Read Only Memory) — невозможно перепрограммировать, и применяются они только при массовом производстве, большой серийности и гарантированной безошибочности заносимого текста.

Следующая разновидность ПЗУ — PROM (Programmable Read Only Memory) — поставляется в виде и предоставляет пользователю возможность самостоятельно, с помощью программатора, занести требуемое содержимое. Если этот процесс необратим, то такие микросхемы называются OTP (One Time Programmable) — однократно программируемые. Если существует возможность очистки содержимого с последующим занесением нового, то микросхемы называются EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory). И, наконец, в зависимости от способа стирания они могут быть либо UV-EPROM, с ультрафиолетовым стиранием, либо EEPROM, с электрическим стиранием. Однако, сложившаяся за последние годы терминология чаще использует аббревиатуру EEPROM за определенной разновидностью памяти, которая, в каком-то смысле, может считаться энергонезависимым ОЗУ.
Собственно ПЗУ с электрическим стиранием принято называть Flash памятью. Отличия между ними достаточно велики. EEPROM допускает при записи произвольный доступ к ячейкам памяти, Flash память предполагает только страничный, то есть с разбивкой на сектора, доступ при стирании/записи. Переписать содержимое единственной ячейки памяти невозможно.

При чтении принципиальной разницы между ними нет. Кроме того, программирование Flash памяти — это целый процесс, который требует дополнительных программных шагов для перевода микросхемы в режим программирования и контроля его окончания. В итоге, область применения Flash памяти — тексты программ, таблицы и другие данные, изменение которых или не предполагается вовсе, или допускается, но весьма редко. EEPROM память используется для текущего запоминания данных в процессе работы, при смене констант, настроек (например в телевизоре), с автоматическим их сохранением при выключении питания. В то же время Flash память обладает большей емкостью и меньшей ценой при пересчете на стоимость хранения одного байта информации.
Оперативная память (RAM — Random Access Memory) принципиально делится на два типа: статическая — SRAM и динамическая — DRAM. Первая, при наличии питающего напряжения, может сохранять записанную информацию как угодно долго без всяких обращений к ней. Запоминающей ячейкой является триггер. Вторая требует постоянной , то есть считывания и повторной записи в соответствующие ячейки.

Это связано с физической основой хранения, которой в DRAM является конденсатор ничтожно малой емкости, включенный на пересечении строк и столбцов матрицы. Этим достигается сверхвысокая плотность упаковки и большая удельная информационная емкость микросхемы. Платой является необходимость периодически осуществлять цикл регенерации. Также приходится жертвовать энергопотреблением. Микросхемы DRAM применяются сегодня практически только в компьютерах и другой вычислительной технике.
Для нас больший интерес представляют микросхемы SRAM, которые, в свою очередь подразделяются на микромощные со сравнительно небольшим (55 — 120 нс) быстродействием и высокоскоростные (7 — 25 нс) со значительно большим энергопотреблением.
Существуют и другие разновидности ОЗУ, например «Zero-Power» со встроенной литиевой батареей или «Dual-Port» с отличной от обычных системой доступа к информации.

• информационная емкость. Cпособность хранить определенное число бит двоичной информации;
• организация микросхем ЗУ. Она может быть различной при одном и том же объеме памяти. Например, 65 536 бит могут выглядеть как 4 096 х 16, или как 8 192 х 8, или в другом сочетании. Внутренняя организация запоминающей матрицы при этом остается неизменной, изменяется только внешний интерфейс и, соответственно, число внешних выводов;

• время выборки. Bремя от подачи последнего из сигналов, разрешающих чтение до появления на выходе устойчивых данных;
• потребляемая мощность. Как обычно, существует компромисс между потребляемой мощностью и быстродействием микросхемы;
• напряжение питания. Общая тенденция к снижению напряжения питания привела к появлению микросхем ЗУ, работающих при 3,3, 2,5 и даже 1,8 вольт;
• температурный диапазон. Коммерческий, индустриальный или расширенный.

В заключение, необходимо отметить, что микросхемы EEPROM и Flash типов часто имеют последовательный внешний интерфейс обмена данными. Это значительно уменьшает скорость обмена, но, в тех применениях, где она не критична, позволяет экономить число внешних выводов микросхем, занимаемую на печатной плате площадь, число паек.

Адрес для заказа:
For suppliers:
Мы в соцсетях
Наши приложения
Принимаем к оплате
Информация

Покупателю

• Правила продажи товаров в интернет-магазине
• Способы доставки
• Вопросы и ответы
• Способы оплаты
• Сертификаты
• База знаний
• Популярное
• Форум

При использовании материалов сайта ссылка на сайт обязательна!
Политика конфиденциальности

Мы используем файлы cookie для работы сайта. Подробнее

Напишите нам
Выбор города

• Абакан
• Анадырь
• Архангельск
• Астрахань
• Барнаул
• Белгород
• Биробиджан
• Благовещенск
• Брянск
• Великий Новгород
• Владивосток
• Владикавказ
• Владимир
• Волгоград
• Вологда
• Воронеж
• Горно-Алтайск
• Грозный
• Екатеринбург
• Иваново
• Ижевск
• Иркутск
• Йошкар-Ола
• Казань
• Калининград
• Калуга
• Кемерово

• Киров
• Кострома
• Краснодар
• Красноярск
• Курган
• Курск
• Кызыл
• Липецк
• Магадан
• Магас
• Майкоп
• Махачкала
• Москва
• Мурманск
• Нальчик
• Нарьян-Мар
• Нижний Новгород
• Новосибирск
• Омск
• Орёл
• Оренбург
• Пенза
• Пермь
• Петрозаводск
• Петропавловск-Камчатский
• Псков
• Ростов-на-Дону

• Рязань
• Салехард
• Самара
• Санкт-Петербург
• Саранск
• Саратов
• Смоленск
• Ставрополь
• Сыктывкар
• Тамбов
• Тверь
• Томск
• Тула
• Тюмень
• Улан-Удэ
• Ульяновск
• Уфа
• Хабаровск
• Ханты-Мансийск
• Чебоксары
• Челябинск
• Черкесск
• Чита
• Элиста
• Южно-Сахалинск
• Якутск
• Ярославль

Источник: www.promelec.ru

МИКРОСХЕМЫ ПАМЯТИ

Всем привет! Сегодняшняя статья полностью посвящена микросхемам памяти. В связи с огромными по распространению и по темпам развития разных цифровых устройств и гаджетов, этот тип микросхем получил огромную распространенность во всем мире. Практически в каждом цифровом электронном гаджете, будь то ноутбук, планшет, видеокамера, их всех связывает память. Не будем сильно углубляться во все эти термины и крутые словечки, просто поговорим про два основных типа памяти, это ОЗУ и ПЗУ.

Эти оба вида микросхем памяти используются в электронике всегда вместе, ПЗУ (постоянное запоминающее устройство) место для энергонезависимого хранения данных, по другому EEPROM. ОЗУ (оперативное запоминающее устройство) – почти тоже самое, только данные хранятся там до момента отключения питания, после повторного отключения питания – на микросхемах ОЗУ теряется вся информация, в то время как на микросхемах ПЗУ информация может храниться очень долго, и при отключении питания информация не удаляется.

Первый вид микросхем (EEPROM, ПЗУ)

Твердотельный накопитель данных, используется для постоянного хранения данных, с возможностью многократной перезаписи информации, многократного считывания и долговременного её хранения, как с питанием, так и без. В быту – ПЗУ используется во всевозможных накопителях, флеш-картах, в SSD жестких дисках, даже в наших любимых микроконтроллерах как область хранения «прошивки». Микроконтроллеры – это по сути ПЗУ и микропроцессор, исполняющий команды файла прошивки, всё это в одном корпусе, на одном кристалле. Если бы вместо ПЗУ использовали ОЗУ, вам бы после каждого выключения пришлось бы прошивать и загружать данные (а это одно и тоже), и если наоборот – ПЗУ вместо ОЗУ, пользования такой памятью будь её хоть 32 Гб хватило бы её вам минут на 5, не более, своего рода ОЗУ это буфер обмена, между устройством отдающим информацию и устройством принимающим её.

Второй вид микросхем памяти

(ОЗУ, он же RAM) – твердотельный накопитель данных, ОЗУ – оперативная память, куда загружаются временно файлы для работы ОС(всегда служебные процессы активны и занимают часть ОЗУ) и то с чем работает ОС, будь то игра, видео, Ваша любимая песня или ещё что-то, по такому принципу работает и DVD плеер, загружая информацию с оптического диска в ОЗУ и потом бесшумно её считывает процессор, не замечали как когда-то DVD плеер стоит бесшумно, а картинка со звуком спокойно себе воспроизводится? – такой подход используется для того что-бы не возникало ошибок при считывании, данные считываются, и сравнивается контрольная сумма. По такому принципу работает и HDD диск компьютера и другие устройства, которые считывают данные с оптических дисков и т. п…

Рассмотрим это подробнее, на примере планшета

1. Контроллер питания, с его назначением всё понятно, питать всё это чудо.
2. Процессор. Связывает всё воедино, выполняет все системные функции, управляется интерфейсом ПО, пользователь же управляет операционной системой, ОС уже процессором. В компьютерах и ноутбуках связующую роль между «железом» и ПО выполняет микросхема BIOS (базовая система ввода-вывода данных. (Мой ник не с проста выбирался! =))
3. Микросхема постоянной памяти, ПЗУ разделенная на две части системно, в одной части находится служебная информация, и операционная система. А в другой её части находиться память доступна непосредственно пользователю.
4. Микросхемы RAM, всё понятно, оперативная память, «хватает» файлы на «лету», требования от этой памяти – высокая скорость обмена данными и максимально быстрая их перезапись. Вот и по этому «оперативная» – должна работать оперативненько))).

Как видим, ничего нет на самом деле сложного, сложное только их изготовление, хотя последнее время на рынке памяти очень большая конкуренция. Несомненным гигантом в её производстве является три корпорации, южнокорейская корпорация SAMSUNG и Hynix(Hyundai Electronics), и Американская Kingston. Но так же их выпускают и другие корпорации, к примеру Intel, MEDIATEK, Quanta и многие другие, даже встречаются иногда «но нэйм» микросхемы, и кто их сделал – останется загадкой.

Накопитель – это по сути ячейка с огромным количеством транзисторов, в которых сохраняется значение «1» или «0», двоичная система если по простому, есть на транзисторе заряд – это «1», нет заряда – «0» в инверсии получится наоборот.

Далее разговор только о ПЗУ, флэш и прочем EEPROM

Если микросхема типа MMC/SD – то это самая обычная «флешка» SD интерфейса и она уже включает в себя контроллер и память, по сути просто флешка, которая имеет разный корпус. в интернете есть пример удачной замены микросхемы Hynix H26M52002CKR на обычную microSD карточку на мобильном телефоне Nokia 808.

Мне стало очень интересно всё это, и в тот же миг был спаян вот такой незамысловатый переходничек-кардридер.

Подключается к любому совместимому компьютеру.

Как же подсоединять всё это дело? Во-первых нужно узнать распиновку кардридера:

Распиновку интересующих карт памяти и картридеров можно посмотреть в интернете. А вот где посмотреть распиновку BGA и TSOP микросхем?

Всё там же, в интернете, точнее в даташите, скачанном под определенную микросхему, в даташите, кстати, есть все, начиная от напряжения питания, и до типа микросхем.

Внимательно смотрите на тип вашей микросхемы – если MMC/SD и вообще SD совместный, то всё должно получиться, а вот если просто NAND память – то нужно городить контроллер, такой как на USB флешках и на SD/microSD(SDHC) уже стоит.

Кстати, готовый контроллер можно использовать всё из тех же USB флешек.

Удачи всем в интересных опытах, будьте внимательны и не сожгите что-нибудь!

Источник: radioskot.ru