Семейство ОЗУ содержит два важных типа запоминающих устройств: статическое ОЗУ (SRAM) и динамическое ОЗУ (DRAM). Главное различие между ними – это долговечность хранимых ими данных. SRAM сохраняет свое содержимое до тех пор, пока к микросхеме подается энергия. Если же энергия отключена, или временно отсутствует, содержимое чипа будет потеряно навсегда. DRAM, с другой стороны, имеет чрезвычайно короткий период продолжительности работы данных – обычно около четырех миллисекунд, даже если энергия подается непрерывно.
Словом, SRAM имеет все свойства памяти, с которыми ассоциируется слово RAM. В сравнении с ней, DRAM кажется, как будто бы, бесполезной. Сама по себе, она таковой и является. Однако можно использовать простой элемент конструкции, именуемый контроллером DRAM, для того, чтобы DRAM вела себя скорее как SRAM. Работа контроллера DRAM заключается в периодическом обновлении данных, хранящихся в DRAM.
Обновляя данные до того, как они исчезнут, содержимое памяти может сохраняться так долго, как это необходимо. Таким образом, DRAM так же эффективна, как и SRAM.
Телевизор LG 32LB650650V висит на заставке. Шьём eMMC
Решая, какой тип ОЗУ использовать, разработчик системы должен учесть время доступа и стоимость. SRAM устройства предлагают чрезвычайно малое время доступа (примерно в четыре раза быстрее, чем DRAM) но гораздо дороже при производстве. Как правило, SRAM используется только там, где крайне важна скорость доступа. Более низкая цена за байт делает DRAM привлекательной в тех случаях, когда требуется много ОЗУ. Многие встроенные системы включают оба типа: маленький блок SRAM (несколько килобайт) для важных данных и гораздо больший блок DRAM (может быть, даже мегабайты) для всего остального.
ТИПЫ ПЗУ (ROM)
Типы памяти в семействе ПЗУ характерны методами, которые используются для записи на них новых данных (обычно называемых программными) и числом раз, которое они могут быть перезаписаны. Эта классификация отражает эволюцию ПЗУ от жестко запрограммированных до программируемых, а затем до стираемых и программируемых. Общая особенность всех этих устройств – это их способность сохранять данные и программы навсегда, даже во время перебоев в питании.
Самые первые ПЗУ были прошитыми устройствами, которые содержали заранее запрограммированный набор данных, или инструкций. Содержимое ПЗУ должно было быть определено до производства чипа, так что фактические данные могли быть использованы для компоновки транзисторов внутри микросхемы. Прошитая память все еще используется, хотя теперь она называется масочным ПЗУ (masked ROMs), чтобы отличать ее от других типов памяти. Главное преимущество масочных ПЗУ — в их низкой стоимости производства. К сожалению, цена низка только тогда, когда требуются большие количества одинаковых ПЗУ.
На одну ступеньку выше масочных ПЗУ находится PROM (программируемое ПЗУ), которое приобретается в незапрограммированном состоянии. Если посмотреть на содержимое незапрограммированных PROM, то видно, что данные составлены целиком из единиц. Процесс записи ваших данных на PROM предусматривает специальное оборудование, называемое программирующим устройством.
Как правильно ВЫБРАТЬ программатор для EMMC NAND SPI EEPROM — UFPI
Программирующее устройство записывает данные на устройство по одному элементу информации единовременно, подавая электрический заряд к входным контактам чипа. Будучи запрограммированным однажды таким образом, содержимое PROM больше никогда изменить не удастся. Если код, или данные, хранящиеся в PROM, необходимо изменить, находящееся в обращении устройство придется выбросить. В результате PROM известны как однократно программируемые устройства.
EPROM (стираемое и программируемое ПЗУ) программируется тем же способом, что и PROM. Однако устройства EPROM могут быть очищены и перезаписаны повторно. Чтобы очистить EPROM, вы просто подвергаете устройство сильному воздействию ультрафиолетового излучения. ( Окно в верхней части устройства позволяет свету попасть на полупроводник.) Поступая таким образом, вы, по существу, возвращаете чип в его первоначальное незапрограммированное состояние. Несмотря на большую стоимость по сравнению с PROM, способность к перепрограммированию, делает EPROM неотъемлемой частью разработки ПО и процесса тестирования.
ГИБРИДЫ (Hybrid)
По мере развития технологии, в последние годы граница между ОЗУ и ПЗУ стерлась. Теперь некоторые типы памяти сочетают особенности обоих типов. Эти устройства не принадлежат ни к одной из групп и могут быть сообща отнесены к гибридным устройствам памяти.
В гибридную память можно записывать информацию и считывать ее оттуда при необходимости, как и в случае с ОЗУ, а сохранять ее содержимое без электроэнергии, точно также как в ПЗУ. Два типа гибридных устройств – EEPROM и Flash происходят от ПЗУ. Их обычно используют для хранения кода. Третий гибрид – NVRAM, является модифицированной версией SRAM. NVRAM, обычно, содержит постоянные данные.
EEPROM – это электрически стираемая и программируемая память. По сути дела, она подобна EPROM устройствам, но операция стирания происходит при помощи электричества, а не благодаря воздействию ультрафиолетовых лучей. Любой байт в EEPROM может быть стерт и перезаписан.
Будучи однажды записанными, новые данные останутся в устройстве навсегда, или, по крайней мере, до тех пор, пока не будут удалены при помощи электричества. Главный компромисс при столь улучшенной функциональности – более высокая стоимость, хотя циклы записи также значительно дольше, чем запись в RAM. Поэтому вряд ли вы захотите использовать EEPROM для главной системной памяти.
Флэш-память (Flash memory) сочетает лучшие черты накопительных устройств, описанных выше. Флэш-память имеет высокую плотность, низкую цену, энергонезависимость, скорость (для чтения, но не для записи) и перепрограммирование при помощи электричества. Эти преимущества огромны и, как прямой результат — использование флэш-памяти во встроенных системах резко увеличилось.
С точки зрения ПО, технологии флэш и EEPROM очень похожи. Главное различие в том, что флэш-устройства могут быть очищены сразу в пределах целого сектора, а не байт за байтом. Типичные размеры сектора находятся в промежутке от 256 байт до 16 килобайт. Несмотря на этот недостаток, флэш-память намного популярнее, чем EEPROM и быстро вытесняет также многие другие ROM устройства.
Третий член в семействе гибридной памяти – NVRAM (энергонезависимая RAM). Энергонезависимость также является характеристикой ROM- устройств и гибридных типов памяти, описанных выше. Однако NVRAM физически сильно отличается от этих устройств. NVRAM – это, как правило, SRAM с резервным аккумулятором. Когда питание включено, NVRAM действует как любая другая SRAM.
При отключении питания NVRAM берет из батареи ровно столько энергии, сколько требуется для сохранения данных. NVRAM достаточно часто встречается во встроенных системах. Однако она дорого стоит, даже дороже, чем SRAM — из-за наличия батареи, так что ее приложения обычно ограничены способностью хранить несколько сотен байт важной системной информации, которую нельзя сохранить каким-либо другим путем.
Таблица 1 резюмирует особенности каждого типа памяти, описного выше, но имейте в виду, что различные типы памяти служат разным целям. Каждый тип памяти имеет свои сильные и слабые стороны. Сравнение «один к одному» не всегда эффективно.
Таблица 1. Характеристики различных типов памяти.
Источник: chipenable.ru
Кратко о EPROM, EEPROM и Flash
После успешной реанимации флешки-зайца я заинтересовался темой флэш-памяти. Всеми этим загадочным аббревиатурами типа LLF, ECC и т.д. Так что это хоть и не моя тема (я занимаюсь веб-программированием и программированием на языках высокого уровня), но все равно интересно – для развития кругозора. Так что начинаю новую серию статей, в которой буду делиться полученными знаниями. В этой серии статей будут рассмотрены различные аспекты флэш-памяти, начиная с историями, устройством и различиями между NOR Flash и NAND Flash.
В начале 1980-х годов, еще до появления таких удивительных вещей, как сотовые телефоны, планшеты или цифровые камеры, ученый по имени Фудзио Масуока работал на Toshiba в Японии над ограничениями чипов EPROM и EEPROM. EPROM (стираемая программируемая память только для чтения) – это тип чипа памяти, который, в отличие от ОЗУ, например, не теряет свои данные при потере питания — на техническом жаргоне он энергонезависим. Он делает это путем хранения данных в ячейках, состоящих из транзисторов с плавающим затвором.
В EPROM могут быть загружены данные, но эти данные также могут быть стерты с помощью ультрафиолетового света, чтобы можно было записать новые данные. Этот цикл программирования и стирания известен как цикл стирания программы (или цикл PE) и важен, потому что это может произойти только ограниченное количество раз на устройстве. Однако, хотя перепрограммируемый характер EPROM был полезен в лабораториях, он не был решением для встраивания в потребительскую электронику – в конце концов, включение ультрафиолетового источника света в устройство сделало бы его громоздким и коммерчески нежизнеспособным.
Последующее развитие памяти, известно как EEPROM: в нем стиралась информация электрическим полем, а не с помощью света. В отличие от EPROM, EEPROM также может стирать и программировать отдельные байты, а не весь чип. Однако EEPROM также имел недостаток: каждая ячейка требовала по крайней мере двух транзисторов вместо одного, необходимого в EPROM. Другими словами, они хранили меньше данных: у них была более низкая плотность.
Прибытие Flash
Идея Масуоки, представленная как патент США 4612212 в 1981 году, брала преимущества EPROM и EEPROM и откидывала их недостатки. Он использовал только один транзистор на ячейку (увеличивая плотность, т. е. объем данных, который он мог хранить) и все еще позволял перепрограммировать их электричеством.
Новая конструкция достигла этой цели, только позволяя стирать и программировать несколько ячеек сразу вместо отдельных. Это не только дает преимущества плотности EPROM и электрически-перепрограммируемые преимущества EEPROM, оно также приводит к меньшему времени доступа: используется меньше времени, чтобы выдать одиночную команду для программирования или стирания большое количества ячеек.
Однако число ячеек, затронутых одной операцией стирания, отличается – и намного больше — чем число ячеек, затронутых одной операцией программирования. И именно этот факт, прежде всего, приводит к поведению, которое мы видим от устройств, построенных на флэш-памяти. В следующих постах мы рассмотрим, что именно происходит, когда происходят операции программирования и стирания, прежде чем перейти к рассмотрению типов доступных flash (SLC, MLC и т. д.) и их поведения.
Тем временем, мы все должны поблагодарить нашего хорошего друга доктора Масуоку за флэш-память, которая позволяет нам носить с собой телефоны и планшеты в карманах и SD-карты в наших цифровых камерах. Кстати, популярная легенда гласит, что название флэш (Flash, англ ”вспышка») пришло от одного из коллег доктора Масуоки, потому что процесс стирания данных напомнил ему вспышку камеры.
Автор этого материала — я — Пахолков Юрий. Я оказываю услуги по написанию программ на языках Java, C++, C# (а также консультирую по ним) и созданию сайтов. Работаю с сайтами на CMS OpenCart, WordPress, ModX и самописными. Кроме этого, работаю напрямую с JavaScript, PHP, CSS, HTML — то есть могу доработать ваш сайт или помочь с веб-программированием. Пишите сюда.
заметки, Flash, история, флешки
Источник: upread.ru
Что такое EEPROM?
EEPROM (англ. Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) — электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ (ЭСППЗУ), один из видов энергонезависимой памяти (таких, как PROM и EPROM). Память такого типа может стираться и заполняться данными до миллиона раз.
В чем разница между EEPROM и flash?
Основное отличие флэш-памяти от EEPROM заключается в том, что стирание содержимого ячеек выполняется либо для всей микросхемы, либо для определённого блока (кластера, кадра или страницы). Обычный размер такого блока составляет 256 или 512 байт, однако в некоторых видах флэш-памяти объём блока может достигать 256КБ.
Что относится к энергонезависимой памяти?
Энергонезависимая память (англ. Non Volatile Random Access Memory; NVRAM) — разновидность запоминающих устройств с произвольным доступом, которые способны хранить данные при отсутствии электрического питания. Может состоять из модуля SRAM, соединённого со своей собственной батарейкой.
Как очистить EEPROM?
Как очистить EEPROM на APM без терминала
- Народный метод. Запускаем среду Arduino, выбираем скетч, меню Файл — Примеры — EEPROM — eeprom_clear. …
- Очистка старой прошивкой. Загружаем в контроллер старую (3.0.1, 3.1-rc5, 3.1…) …
- Штатный метод в MP. (Не работает!) …
- Сброс на заводские настройки через Mission Planner.
Что хранится в EEPROM Эбу?
В EEPROM хранится коэффициент коррекции СО (в системах, где есть СО-регулирование), пароль и коды иммобилизатора, а так-же паспортные данные автомобиля: VIN, номер кузова, двигателя, имя прошивки и т. д. Доступ к этой памяти возможен как извне, с помощью программ – загрузчиков, так и изнутри управляющей программы.
Какая характеристика описывает Ппзу?
ППЗУ — Микросхема EPROM Intel 1702 с ультрафиолетовым стиранием. Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) энергонезависимая память, используется для хранения неизменяемых данных. Часто используется английский термин ROM (Read Only Memory).
Где используется флэш память?
В первую очередь NAND флеш—память применяется во всевозможных мобильных носителях данных и устройствах, требующих для работы больших объёмов хранения. В основном, это USB-брелоки и карты памяти всех типов, а также мобильные устройства, такие как телефоны, фотоаппараты, медиаплееры.
Какая память не является энергонезависимой?
Итак, ROM (ПЗУ) – это форма постоянного хранения, в то время как RAM (ОЗУ) является формой временного хранения. ROM представляет собой энергонезависимую память, а RAM — энергозависимую. Память ROM способна хранить данные без электричества, однако RAM требует электричества для хранения.
Какая память используется для долговременного хранения информации?
Внешняя память – это память, реализованная в виде внешних запоминающих устройств (ВЗУ) с разными принципами хранения информации. Внешняя память относится к внешним устройствам компьютера и используется для долговременного хранения любой информации, которая может потребоваться для решения задач.
Как стереть память esp8266?
Метод: Загрузите прошивку , затем выберите соответствующий bin-файл в соответствии с размером вашей флэш-памяти и запишите этот bin-файл в esp8266, чтобы полностью стереть флэш-память. Когда прошивка IOT снова прошита, модуль переходит в режим AP!
Для чего нужен eeprom в ЭБУ?
EEPROM – многократно перезаписываемая память, используемая для хранения временной информации, сохраняемой при отключении питания.
Где хранится прошивка ЭБУ?
Прошивка блока управления может располагаться или внутри процессора, или на внешней плате, здесь все зависит от модели двигателя и автомобиля. Перепиновка ЭБУ мастерами в сфере чип-тюнинга может производиться с применением различных программаторов и оборудования.
В чем заключается особенность оперативной памяти?
Особенности работы ОЗУ Оперативная память может сохранять данные лишь при включенном компьютере. Поэтому при его выключении обрабатываемые данные следует сохранять на жестком диске или другом носителе информации. При запуске программ информация поступает в ОЗУ, например, с жесткого диска компьютера.
Что относится к внутренней памяти компьютера?
К внутренней памяти относится:
- · оперативная память (ОЗУ);
- · кеш-память;
- · постоянно запоминающие устройство (ПЗУ).
- · жёсткие диски;
- · дискеты;
- · флеш-карты;
- · стримеры;
- · оптические диски (CD или DVD).
Как информация хранится на флешке?
Во время записи данных на управляющий затвор подается положительное напряжение и некоторая часть электронов направляется (двигается) от стока к истоку, отклоняясь к плавающему затвору. Часть электронов преодолевает тонкий слой изолятора и проникают в плавающий затвор, где и остаются на продолжительный срок хранения.
Как работает память на флешке?
Принцип работы флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области («карман») полупроводниковой структуры. Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора.
Как отличить DDR?
В общем, первая цифра после букв PC указывает на поколение DDR, если этой цифры нет, то это простой DDR первого поколения….
- DDR-200 — это DDR1 c эффективной частотой памяти 200 МГц.
- DDR2-400 — это DDR2 c эффективной частотой памяти 400 МГц.
- DDR3-800 — это DDR3 c эффективной частотой памяти 800 МГц и так далее.
Источник: toptitle.ru