Здравствуйте создателям этого сайта и всем участники ФОРУМА!
И так у меня не совсем понятливый вопрос… Объясните пожалуйста,
для чего служит ФЛЭШ(Fiasn)-память в ЖК телевизорах. Какова
её функция. И какой порядок программирования, при слёте у них прошивок ?
опишите пожалуйста подробнее.
Всем СПАСИБО.
Добавлено: 17 сен 2013, 18:07
Флеш-память это в принципе то-же самое что и обыкновенная ПЗУ (или как их принято называть EEPROM) в обыкновенном телевизоре. В ней хранятся первоначальные предустановки для управления процессором.
Но по сравнению с обыкновенной ПЗУ у неё гораздо больший объем памяти.
В ЖК телевизорах бывает даже и не одна Флешка! Их может быть несколько.
Например: одна служит для управления процессором, другая- для управления матрицей (точнее процессором матрицы).
А вот что касается прошивки- здесь не все так легко и просто. При помощи простого PONY их уже не прошьешь, требуется более серьёзный программатор (в общем-то их несколько существует, самый распространенный так называемый «Джитаг» или Джига).
Как работает флэш память
Тут в двух словах не расскажешь, видимо нужно будет отдельную статью писать.
Добавлено: 17 сен 2013, 19:32
Evgeniy811 СПАСИБО за ответ.
Если можно , опишите пожалуйста чтоб до мозгов дошло. Подробнее как она функционирует
именно в системе LCD телевизорах.
| Страница 1 из 1 | [ Сообщений: 3 ] |
Часовой пояс: UTC + 3 часа
Кто сейчас на конференции
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 0
Источник: radio-uchebnik.ru
Как на microSD-карточке помещается 1 терабайт?
Сейчас все привыкли к тому, что в телефонах много памяти — от 128 гигабайт и выше. Если телефон поддерживает карты памяти большой ёмкости, то можно вставить туда microSD-карточку и получить дополнительно хоть терабайт. Но вы видели те карточки? Они же невероятно малы!
В этой статье разберёмся, как такой большой объём памяти помещается в пластике площадью полтора сантиметра.
Как устроена флеш-память
Если мы аккуратно вскроем карточку microSD, то увидим, что она состоит из контактов для передачи данных, контроллера памяти и самой микросхемы с памятью:
Контроллер нужен, чтобы следить за тем, как данные записываются на чип, всё ли там в порядке и не нужно ли что-то исправить. Если в момент записи или передачи данных контроллер замечает ошибку, он посылает специальный сигнал в чип или на устройство, мол, ошибка, передай данные ещё раз.
Чип флеш-памяти состоит из площадки с транзисторами, которые умеют хранить электрический заряд 5—7 лет. Для этого они используют специальные электромагнитные ловушки. В прямом смысле: в них «застревают» электрические заряды. Если в транзисторе есть заряд, это считается за единицу. Если заряда нет — это ноль.
Как прошить флешь память. И что это такое ?
Контроллер памяти следит за тем, чтобы заряды в транзисторах со временем не пропадали. Для этого он во время работы периодически обновляет заряды у нужных транзисторов — чтобы данные на карте памяти не пропали из-за утечки зарядов.
Получается, что флешка — это просто площадка с очень большим набором маленьких транзисторов, в которых застревает электричество. Можно представить, что это район с одноэтажными домами.
Трёхмерная печать
У такого решения есть проблема — если нам нужно больше памяти, нам потребуется больше транзисторов, а значит — больший по размерам чип. А он тогда не поместится на карте стандартного размера.
Когда производители столкнулись с таким ограничением, они стали делать так:
- Печатают один слой транзисторов — точно так же, как и в производстве процессоров.
- Сверху наносят слой диэлектрика, чтобы отделить следующие транзисторы от этих.
- Потом печатают следующий слой транзисторов.
- Слой диэлектрика и так далее.
Получается, что теперь у нас дома не одноэтажные, а многоэтажные.
К слоям транзисторов можно обращаться одновременно, чтобы сразу получить много нужных данных. Для этого в этом многослойном пироге проделывают сквозные тоннели-проводники. Каждый из таких проводников соединяет свой участок памяти с верхними и нижними.
Чем больше таких проводников — тем быстрее и проще получить данные из памяти, но есть два ограничения:
- Из-за особенностей производства нельзя бесконечно увеличивать количество слоёв в чипе — они начинают деформироваться, изменять свои свойства и работать со сбоями. В среднем сейчас используют 100 слоёв на одной микросхеме. В будущем хотят увеличить их количество до 500, но это почти предел.
- Много тоннелей тоже сделать нельзя — у них есть своя толщина, и каждый такой проводник занимает определённую площадь на чипе. Если сделать слишком много сквозных проводников, то не останется места для самих транзисторов.
Много микросхем — много памяти
Пока всё, о чём мы говорили, помещается на одной микросхеме, но это максимум 128 гигабайт. Чтобы получить терабайт, можно точно так же поставить 8 микросхем друг на друга и соединить их все с контроллером памяти:
Больше 8 микросхем поставить друг на друга можно, но работать с ними будет гораздо сложнее. Дело в том, что компьютеру очень удобно работать с числами, кратными восьми, потому что в одном байте 8 бит. Поэтому для управления одновременно 8 микросхемами компьютеру нужно передать один управляющий байт, а для 9 или 12 микросхем — нужно уже 2 байта. А это в два раза больше передаваемых данных и в 128 раз увеличивает нагрузку на контроллер памяти, который следит за ошибками.
Короче: как работает флешка
- Есть «ловушки» электрического заряда. В них хранятся биты данных.
- «Ловушки» аккуратно укладываются на плоскости, очень плотно.
- Потом эти плоскости укладываются в несколько этажей.
- Потом эти «многоэтажки» ещё раз укладываются друг на друга.
- Всё это хозяйство подключается к управляющему чипу.
- Получается флешка.
Если оставить флешку без внимания на 5—7 лет, часть её данных потеряется. За 20—30 лет из-за квантовых эффектов флешка в принципе придёт в негодность. Поэтому наслаждайтесь жизнью сегодня
Источник: thecode.media
Различия между типами памяти SLC, MLC, TLC и 3D NAND в USB-накопителях, твердотельных накопителях и картах памяти
NAND — это энергонезависимая флеш-память, которая может хранить данные, даже если она не подключена к источнику питания. Возможность сохранять данные при выключении питания делает NAND отличным вариантом для внутренних, внешних и портативных устройств. USB-накопители, твердотельные накопители и SD-карты используют флеш-технологию, обеспечивая память для таких устройств, как мобильные телефоны и цифровые видеокамеры.
На рынке представлены несколько типов памяти NAND. Попросту говоря, каждый из типов отличается количеством битов, которое может храниться в каждой ячейке. Биты представляют собой электрический заряд, который может содержать только одно из двух значений — 0 или 1 (вкл./выкл.).
Ключевые различия между типами памяти NAND заключаются в стоимости, емкости и сроке службы. Ресурс определяется количеством циклов программирования-стирания (P/E), которые может выдержать ячейка флеш-памяти до износа. Цикл P/E — это процесс стирания и записи ячейки, и чем больше циклов P/E может выдержать технология NAND, тем выше ресурс устройства.
Стандартные типы флеш-памяти NAND — SLC, MLC, TLC и 3D NAND. В этой статье рассматриваются различные характеристики каждого типа памяти NAND.
SLC NAND
Преимущества: Высочайший ресурс — Недостатки: Высокая стоимость и низкая емкость
NAND-память в одноуровневыми ячейками (SLC) хранит только 1 бит информации на ячейку. В ячейке хранится либо 0, либо 1, и в результате запись и извлечение данных может выполняться быстрее. SLC обеспечивает самую высокую производительность и ресурс: 100 000 циклов P/E То есть такая память служит дольше других типов NAND-памяти. Однако из-за низкой плотности размещения данных SLC является самым дорогим типом NAND-памяти и поэтому обычно не используется в потребительской продукции. Ее типичные области применения — серверы и другое промышленное оборудование, требующее высокой скорости и долговечности.
MLC NAND
Преимущества: Дешевле памяти SLC — Недостатки: Быстродействие и ресурс ниже по сравнению с SLC
Технология NAND-памяти с многоуровневыми ячейками (MLC) хранит несколько битов на ячейку, хотя термин MLC обычно относится к 2 битам на ячейку. MLC имеет более высокую плотность размещения данных по сравнению с SLC, поэтому позволяет создавать носители большей емкости. Память MLC отличается хорошим сочетанием цены, производительности и долговечности. Однако память MLC, обеспечивающая 10 000 циклов P/E более чувствительна к ошибкам данных и имеет меньший ресурс по сравнению с SLC. Память MLC обычно используется в потребительской продукции, где долговечность не столь важна.
TLC NAND
Преимущества: Наименьшая цена и высокая емкость — Недостатки: Низкая долговечность
NAND-память с трехуровневыми ячейками (TLC) хранит 3 бита на ячейку. За счет увеличения числа битов на ячейку снижается цена и увеличивается емкость. Однако это отрицательно сказывается на производительности и ресурсе (всего 3000 циклов P/E). Во многих потребительских изделиях используется память TLC как самый дешевый вариант..
3D NAND
В последние десять лет одной из крупнейших инноваций на рынке флеш-памяти стала память 3D NAND. Производители флеш-памяти разработали технологию 3D NAND, чтобы устранить проблемы, с которыми они столкнулись при уменьшении размера 2D NAND в попытке достичь более высокой плотности при меньших затратах. В памяти 2D NAND ячейки, в которых хранятся данные, размещаются горизонтально, рядом друг с другом. Это означает, что объем пространства, в котором могут быть размещены ячейки, ограничен, и попытка уменьшить размер ячеек снижает их надежность.
Поэтому производители NAND-памяти решили расположить ячейки в пространстве иначе, что привело к созданию памяти 3D NAND с вертикальным расположением ячеек. Более высокая плотность памяти позволяет увеличить емкость без значительного увеличения цены. Память 3D NAND также обеспечивает более высокую долговечность и меньшее энергопотребление.
В целом, NAND — чрезвычайно важная технология памяти, поскольку обеспечивает быстрое стирание и запись данных при более низкой стоимости на бит. С ростом игровой индустрии развитие технологии NAND продолжится, чтобы удовлетворить постоянно растущие потребности потребителей в хранении данных.
Источник: www.kingston.com