В отечественных телевизорах серии 4-УСЦТ с параллельным трактом звукового сопровождения, тракт ПЧЗ строился на двух микросхемах, — усилитель первой ПЧ (с выхода селектора) и преобразователь частоты на микросхеме К174УР8, и тракт второй ПЧ 6,5 МГц (или 5,5 МГц) на микросборке УПЧЗ-2 или УПЧЗ-2Е.
Телевизоры 4-УСЦТ уже давно уступили место более современным моделям, но детали для них все еще можно найти на радиорынках. Хочу предложить схему простого УКВ-ЧМ приемника с промежуточной частотой 6,5 МГц, собранного на ИМС К174УР8 и микросборке УПЧЗ-2.
Приемник предназначен для работы в диапазоне 64-73 МГц как дополнительный УКВ модуль к старому радиоприемнику.
На микросхеме К174ХА8 выполнен УРЧ и преобразователь частоты. Сигнал от антенны поступает на контур L1-C2, настроенный на середину диапазона. В процессе настройки этот контур не перестраивается. Вход микросхемы К174ХА8 симметричный (как у К174ПС1), но здесь он работает как несимметричный, — лишний вывод 1 заземлен через С7.
Дело не в конденсаторе Ремонт приставки для цифрового тв
Рис. 2
Гетеродинный контур — C6-L2-C5, плюс, переменный конденсатор радиоприемника, — С2Б (рис. 2). Этот конденсатор подключается на входной контур дополнительно устанавливаемым переключателем Sx. Настройка по диапазону перестройкой частоты этого контура. Средняя частота устанавливается конденсатором С6 и изменением индуктивности L2, а диапазон перестройки, — конденсатором С5.
Сигнал промежуточной частоты снимается с вывода 12 А1 и через конденсатор С10 поступает на вход микросборки УПЧЗ-2, в которой есть усилитель-ограничитель ПЧ на микросхеме К174УР4, а так же, пъезокерамический фильтр на 6,5 МГц на входе и пьезокерамический резонатор на эту же частоту в фазо-сдвигающей цепи частотного детектора.
Низкочастотный сигнал снимается с вывода 7 УПЧЗ-2 и через С12 и секцию переключателя Sx.3 поступает на регулятор громкости R14 (рис.2) приемника, а через него на УЗЧ. Вторая секция — Sx.2 включена в разрыв подачи положительного питания на радиотракт приемника. На схеме (рис. 2) Sx показан в положении «УКВ».
Катушки L1 и L2 бескаркасные. Внутренний диаметр — по 5 мм, число витков одинаковое, -по 10 витков провода ПЭВ 0,61.
Настройка заключается в установке диапазона настройкой гетеродинного контура (С5-C6-L2), настройке входного контура (L1-C2) и установке величины выходного напряжения ЗЧ подбором сопротивления R4.
Источник: www.payatel.ru
Простой приёмник на цифровой логической микросхеме
Цифровые микросхемы логики разработаны для использования их в цифровых схемах, где они оперируют сигналами 1 и 0 но кто бы мог подумать, что на цифровой логической микросхеме можно сделать простой радиоприёмник прямого преобразования, здесь микросхема К176ЛЕ5 выступает одновременно и в качестве усилителя радио частоты (ВЧ) и усилителя низкой частоты (НЧ).
Какие радиодетали надо собирать для извлечения драгметаллов?
Простой приёмник на цифровой логической микросхеме
Схема приёмника прямого усиления на микросхеме К176ЛЕ5:
Простой приёмник на цифровой логической микросхеме
Что такое микросхема? Как ее проектируют и производят?
Микросхема (чип/интегральная схема) — это микроэлектронное устройство (кристалл) , изготовленная на полупроводниковой пластине или плёнке и помещённая в корпус. В случае вхождения в состав микросборки может быть без корпуса.
Изобретение биполярного транзистора позволило сделать электронно-вычислительные машины значительно меньшими в размерах, а появление в 1950 году полевого транзистора дало возможность углубиться миру в цифровую схемотехнику и создать микросхемы, без которых сегодняшние технологии были бы невозможными.
Соединив множество транзисторов, можно создать цифровую схемотехнику, однако это будет выглядеть довольно громоздко. Тогда родилась идея объединить несколько транзисторов на одном куске полупроводника. Так в 1958 году была создана первая в мире интегральная микросхема.
Первоначально она включала в себя небольшое количество транзисторов, но со временем их число стало увеличиваться. Например, Rentium 4 соединяет несколько миллионов транзисторов. Сам процесс производства современных интегральных микросхем очень сложен. Чтобы разработать проект нового чипа понадобится около полутора лет, при этом затраты на это составят около одного миллиарда американских долларов.
Первым делом необходимо разработать проект микросхемы в системе автоматического проектирования (САПР). Раньше надо было располагать каждый транзистор на куске кремния, теперь же, с изменением типовых линейных размеров транзистора до минимума, когда они стали составлять около 100 нанометров, а число транзисторов в чипе больше миллиарда, создавать руками расположение определенного транзистора не предоставляется возможным.
При современном проектировании используются готовые блоки элементов, то есть уже соединенные вместе транзисторы Их объединяют в логические элементы, функциональные узлы/блоки, что позволяет существенно сокращать время на разработку.
Непосредственно сама процедура изготовления микросхем занимает до восьми недель и осуществляется в специальных условиях. Сама интегральная схема это структура, состоящая из нескольких слоев. Слои разделяются на полупроводниковые и металлические. На полупроводниковых слоях находятся транзисторы, на металлических слоях – соединительные элементы и внешние выводы.
На полупроводниковых слоях требуется определить расположение каждого транзистора, указать, какая область будет иметь положительную проводимость, а какая отрицательную.
Кроме транзисторов миниатюрный блок микросхемы включает в себя множество и других активных и пассивных элементов, таких как, например, диоды и резисторы. Их общее число может достигать сотен тысяч, миллионов и даже миллиардов, если рассматривать современные технологии.
В зависимости от количества элементов интегральные микросхемы делятся на следующие виды: малой степени интеграции, средней степени интеграции, большие и сверхбольшие интегральные.
В микросхеме малой степени интеграции, в зависимости от ее функционального назначения, может содержаться до ста пассивных и активных элементов. А в сверхбольшой микросхеме – от десяти тысяч и более, то есть миллионы и миллиарды элементов на одном кристалле полупроводника. Одна микросхема может выполнять функцию узла или целого блока радиоприемника, телевизора, микрокалькулятора или какой-либо электронно-вычислительной машины.
Постоянное уменьшение транзисторов в размерах вызывает трудности при гравировке кристалла, даже при использовании самых современных методов, например, лазера. Меньшее, не всегда лучшее. Существуют транзисторы, размеры которых меньше бактерий, они потребляют настолько мало энергии, что могут быть уязвимыми даже при любом микроскопическом воздействии, которое может их вывести из строя. Например, они могут пострадать от ионизированных частиц космических лучей, возникающих при взрыве сверхновых, которые могут нарушить функциональность транзистора и спровоцировать его ошибочное переключение.
Источник: osdaily.ru