Флэш-память (англ. Flash Memory) — это форма программируемой постоянной памяти с электронным стиранием, которая позволяет стирать или записывать память несколько раз во время работы. Эта технология в основном используется для общего хранения данных, а также для обмена и передачи данных между компьютерами и другими цифровыми продуктами, такими как карты памяти и U-диски. Флэш-память — это энергонезависимая память, поэтому ей не нужно потреблять энергию только для сохранения данных.
По сравнению с жесткими дисками флэш-память также имеет лучшую устойчивость к динамическим ударам. Эти характеристики являются причиной широкого распространения флэш-памяти в мобильных устройствах. У флэш-памяти есть еще одна особенность: когда она превращена в карту памяти, она очень надежна, даже если она погружена в воду, она может выдерживать высокое давление и экстремальные температуры. Скорость записи во флеш-память часто значительно ниже скорости чтения.
NorFlash
Оживляем Samsung UE40D5520 Когда уже надоело перепрошивать и менять NAND
NOR Flash требует много времени для стирания и записи, но он обеспечивает полную адресацию и шину данных, а также обеспечивает произвольный доступ к любой области памяти, что делает его очень подходящим для замены старых микросхем ПЗУ. В то время микросхемы ПЗУ в основном использовались для хранения кода, который вряд ли нуждался в обновлении, например, BIOS компьютера или прошивки телеприставки. NOR Flash может выдержать от 10 000 до 1 миллиона циклов стирания, а также является основой ранних съемных носителей флэш-памяти. Первоначально CompactFlash был основан на NOR Flash, но позже перешел на более дешевую NAND Flash.
NandFlash
Флэш-память NAND типа Toshiba, опубликованная на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) в 1989 г., для чтения и записи данных на NandFlash требуются внешнее основное управление и схемотехника. . Флэш-память NAND имеет более быстрое время стирания, и площадь каждой ячейки памяти также меньше, что делает флэш-память NAND более плотной и более низкой стоимостью на бит, чем флэш-память NOR. При этом частота его стирания в десять раз выше, чем у NOR Flash. Однако интерфейс ввода-вывода NAND Flash не имеет произвольного доступа к внешней шине адреса. Он должен считываться блочно. Типичный размер блока NAND Flash составляет от сотен до тысяч бит.
Поскольку для большинства микропроцессоров и микроконтроллеров требуется произвольный доступ на уровне байтов, NAND Flash не подходит для замены тех ПЗУ, которые используются для загрузки программ. С этой точки зрения NAND Flash больше похож на вторичное запоминающее устройство, такое как оптические диски и жесткие диски. NAND Flash очень подходит для запоминающих устройств, таких как карты памяти. Первым съемным носителем, основанным на NAND Flash, была SmartMedia. С тех пор многие носители также использовали NAND Flash, включая MultiMediaCard, Secure Digital, Memory Stick и xD card.
NAND и подсветка — 2 типовухи в одном телевизоре LG
eMMC
eMMC (Embedded Multi Media Card) учреждена ассоциацией MMC. eMMC эквивалентна основной управляющей ИС NandFlash +. Протокол внешнего интерфейса такой же, как у карт SD и TF. Он предназначен в основном для стандартных спецификаций встроенной памяти таких продуктов, как мобильные телефоны или планшеты. Очевидным преимуществом eMMC является то, что в комплект поставки входит контроллер, который предоставляет стандартный интерфейс и управляет флэш-памятью, что позволяет производителям мобильных телефонов сосредоточиться на других частях разработки продукта и сократить время вывода продуктов на рынок. Эти характеристики одинаково важны для поставщиков NAND, которые хотят уменьшить размер и стоимость фотолитографии.
eMMC состоит из встроенного хранилища с интерфейсом MMC (мультимедийная карта), устройства флэш-памяти (Nand Flash) и основного контроллера, все в небольшом корпусе BGA. Скорость интерфейса составляет до 52 МБ в секунду, а eMMC имеет быструю и масштабируемую производительность. В то же время напряжение интерфейса может составлять 1,8 или 3,3 В.
Источник: russianblogs.com
Неисправности телевизоров, связанные с выходом из строя микросхем памяти oneNAND, NAND, eMMC, SPI FLASH и EEPROM. (1/4)
Неисправности телевизоров, связанные с выходом из строя микросхем памяти oneNAND, NAND, eMMC, SPI FLASH и EEPROM.
08 Сен 2019 12:10 #1
- master_tv
- Модератор
- Мастер по ремонту электроники
- Сообщений: 4885
- Спасибо получено: 764
Неисправности телевизоров, связанные с выходом из строя микросхем памяти oneNAND, NAND, eMMC, SPI FLASH и EEPROM.
Неисправности телевизоров, связанные с выходом из строя микросхем памяти (oneNAND, NAND, eMMC, SPI FLASH и EEPROM).
Вот перечень неисправностей, связанные с выходом из строя микросхем памяти:
1) телевизор не включается, постоянно горит красный светодиод
2) моргает красный светодиод а потом гаснет
3) включается но зависает на логотипе
4) включается но постоянно перезагружается
5) отсутствует изображение
6) не запоминает настройки
Чтобы устранить эти неисправности необходимо заменить микросхему памяти (oneNAND, NAND, eMMC, SPI FLASH и EEPROM) и перепрограммировать (перепрошить) ее, либо просто перешить.
Администратор запретил публиковать записи гостям.
08 Сен 2019 12:18 #2
- master_tv
- Модератор
- Мастер по ремонту электроники
- Сообщений: 4885
- Спасибо получено: 764
Неисправности телевизоров, связанные с выходом из строя микросхем памяти oneNAND, NAND, eMMC, SPI FLASH и EEPROM.
Выход из строя или слет прошивки микросхемы NAND H27U1G8F2CTR
Вот перечень телевизоров в которых используется NAND H27U1G8F2CTR :
LG 43LH520V
LG 22LN540U
LG 43LH510V
LG 29LN450U 29MN33D_LD32S
LG шасси LD67A_LD67B
LG шасси LD31S
LG шасси LC43B/LD43B/LB43T
LG 32LN536U
LG шасси LB36B
LG шасси LD31B_LC36B_LL36B
LG 42LB5510
LG шасси LA3AA LB3AC LT3AC
LG шасси LD54J
Sharp LC-32LD135V H27U1G8F2BTR
Sharp LC-40LE814E H27U1G8F2BTR
Sharp LC-50LE762E H27U2G8F2CTR 17MB90-3_V1
Sharp LC-60LE636E-RU H27U2G8F2CTR QPWBXFKF733WJN2
Sharp LC-70LE741E-RU H27U2G8F2CTR
Администратор запретил публиковать записи гостям.
08 Сен 2019 12:33 #3
- master_tv
- Модератор
- Мастер по ремонту электроники
- Сообщений: 4885
- Спасибо получено: 764
Неисправности телевизоров, связанные с выходом из строя микросхем памяти oneNAND, NAND, eMMC, SPI FLASH и EEPROM.
Выход из строя или слет прошивки микросхемы NAND K9GAG08U0E
Довольно часто в телевизорах SANSUNG (собранных на mainboard BN41-01660B, BN41-01660A), выходит из строя именно микросхема NAND K9GAG08U0E
Вот перечень телевизоров :
Samsung UE40D5500, UE46D5500, UE32D5520, UE40D5520, UE46D5520, UE32D5500 и т.д.
А также в плазменных телевизорах Samsung PS51D6900DS и PS59D6900DS, шасси F86A.
Администратор запретил публиковать записи гостям.
08 Сен 2019 12:40 #4
- master_tv
- Модератор
- Мастер по ремонту электроники
- Сообщений: 4885
- Спасибо получено: 764
Неисправности телевизоров, связанные с выходом из строя микросхем памяти oneNAND, NAND, eMMC, SPI FLASH и EEPROM.
Выход из строя или слет прошивки микросхемы eММС KLM4G1FEAC-C031 в телевизорах Samsung на платформе HIGH-X14H.
eММС KLM4G1FEAC-C031 применяется в Samsung UE32H6400, UE40H6400, UE32H5500, UE48H6230, UE32H6350AK, UE48H6410, UE32H5500AK, UE40H6350AK, UE55H6400AK, UE48H6400, UE32H6230, UE48H6230, UE48H6800AU, UE55H6800AW, UE55H6800AW, UE48H6800, UE55H6800 и других моделях с платформой HIGH-X14H, модели Н 5 и 6 серии. А также в телевизорах Samsung UE48H8000, UE55H8000 и других моделях с платформой GOLF_P_PRO модели Н 8 серии..
Администратор запретил публиковать записи гостям.
08 Сен 2019 12:53 #5
- master_tv
- Модератор
- Мастер по ремонту электроники
- Сообщений: 4885
- Спасибо получено: 764
Неисправности телевизоров, связанные с выходом из строя микросхем памяти oneNAND, NAND, eMMC, SPI FLASH и EEPROM.
Выход из строя микроконтроллера WT61P805 в TV Samsung.
Выход из строя WT61P805 является стандартной неисправностью в телевизорах Samsung, где применяется плата майн BN41-01795A. Из за неисправной емкости в блоке питания 47 мкф 200 вольт, напряжение дежурного режима 5.3 v повышается и выводит из строя IC1201 WT61P805 и LDO стабилизатор IC202 на 3.3 v ( маркировка 1G1 M ).
Для устранения неисправности необходимо заменить и прошить WT61P805, заменить конденсатор в блоке питания 47 мкф 200 вольт и LDO стабилизатор IC202 на 3.3 v ( маркировка 1G1 M ). Выводы микросхемы для перепрошивки VDD 3.3 вольта 1 и 2 pin , GND 3 pin, SCL 23 pin, SDA 22 pin.
— WT61P807 используется в BN41-01958B(A)
— WT61P805 используется в BN41-01812A
— WT61P805 используется в BN41-01798A
— WT61P802 используется в BN41-01537A
— WT61P805 используется в BN41-01167B(C)
— WT61P805 используется в BN41-01754A
Источник: master-tv.net
Что такое флэш-память NAND? — Определение, характеристики, типы и многое другое
Флэш-память NAND — это тип энергонезависимой памяти, которая широко используется в бытовой электронике. Его можно найти в таких гаджетах, как цифровые камеры, смартфоны, планшеты и ноутбуки. Флэш-память NAND обеспечивает высокую скорость чтения и записи, а также большой объем памяти. В этом сообщении блога мы более подробно рассмотрим, что такое флэш-память NAND, и некоторые из ее ключевых особенностей.
В этой статье:
1. Что такое флэш-память NAND?
Есть два типа флеш-памяти. NOR Тип флэш-памяти и NAND Тип флэш-памяти. Флэш-память состоит из FGMOS или FGMOSFET (полевых транзисторов на основе оксида металла с плавающим затвором). Каждый FGMOS — это электронный компонент, который может хранить либо 0, либо 1. Именно поэтому эти транзисторы называются ячейками.
Во флэш-памяти NAND эти ячейки расположены последовательно, поэтому доступ к этой памяти возможен только последовательно. По характеру флэш-память NAND является энергонезависимой. Это означает, что он может постоянно хранить свое содержимое, даже если он не подключен к источнику питания.
Использование флэш-памяти NAND
Этот тип флэш-памяти также используется в компьютерах, SSD, смартфонах, цифровом телевидении, планшетах, USB-накопителях и т. д. Эти флэш-памяти не требуют постоянного тока, но содержат полупроводники, состоящие из оксида металла, которые обеспечивают заряд флэш-памяти.
Характеристики флэш-памяти NAND
- Энергонезависимая память
Все формы флэш-памяти NAND являются энергонезависимыми, что означает, что устройства хранения данных с флэш-памятью NAND сохраняют сохраненные данные без использования батареи или любого другого источника напряжения. Такие запоминающие устройства могут хранить данные в течение длительного периода времени без их повреждения.
- Перепрограммируемый
Лучшее во флэш-памяти NAND — это то, что вы можете программировать их в соответствии с вашими потребностями. Программируемые микросхемы могут содержать любые данные, от документов до видео, поэтому вы можете использовать их, когда вам это нужно.
- Более быстрое время записи и стирания
Время, необходимое для записи данных, меньше во флэш-памяти NAND, поэтому эта память используется в приложениях, где предпочтение отдается постоянной записи, а не извлечению данных. Это также уникальная особенность флэш-памяти NAND, заключающаяся в том, что удаление ее содержимого занимает меньше времени. Просто дайте команду удаления, и большое количество данных будет удалено в течение нескольких секунд.
Флэш-память NAND настолько плотная, что вы даже можете приобрести устройство хранения на 2 ТБ в любом местном компьютерном магазине. Ученые и инженеры работают над созданием флэш-памяти с большим объемом памяти, так как размер новейших приложений становится все больше.
- Низкая себестоимость
Стоимость производства флэш-памяти NAND невероятно низка. Более известные производители создают устройства памяти NAND с различными размерами, функциями и дизайном, чтобы удовлетворить потребности пользователя. Именно поэтому устройства с флэш-памятью NAND стали более популярными, чем физические устройства хранения.
История флэш-памяти NAND
В 1989 году флэш-память NAND была разработана известной японской компанией Toshiba. Фудзио Масуока был ведущим инженером, создавшим флэш-память такого типа вместе со своими решительными товарищами по команде. Целью Фудзио Масуоки было заменить большие, тяжелые, старые и медленные магнитные запоминающие устройства и его изобретение навсегда изменил мир. В настоящее время флэш-память NAND установлена в большинстве цифровых устройств.
2. Как работает NAND-флэш?
Флэш-память NAND содержит миллионы ячеек памяти с ловушками заряда, которые состоят из MOSFET. Эти ячейки создаются с использованием нанометровой технологии. Каждая ячейка флэш-памяти с зарядовой ловушкой (CTF) может либо улавливать электроны, либо высвобождать. Следовательно, каждая ячейка в прошлом могла представлять только один бит, равный 0 или 1.
CTF состоит из трех функциональных частей, известных как Ворота, Канал и Ловушкой заряда. Все они отделены друг от друга диэлектрическим материалом. Часть Ловушкой заряда может хранить или высвобождать хранящиеся в ней электроны, поэтому ее называют ловушкой заряда. Если нет захваченных электронов, то ячейка представляет собой 1, в противном случае 0.
Один современный CFT может хранить больше значений, чем предыдущий. Это достигается путем сохранения различных уровней заряда в части Ловушкой заряда. Например, для представления 8 различных значений нам потребуется 8 различных зарядов или напряжений.
3. Типы флэш-памяти NAND
SLC
SLC — это сокращение от одноуровневой ячейки. Это старый тип NAND-флэш, так как каждая ячейка может представлять только одну двоичную цифру (бит).
MLC
Каждая многоуровневая ячейка может представлять два бита. Эти ячейки имеют меньшую износостойкость, чем SLC, потому что циклы записи и проверки выполняются в два раза чаще, чем SLC.
TLC
TLC означает трехуровневую ячейку. Как видно из названия, каждая ячейка хранит 3 бита памяти, что позволяет хранить больше данных в той же занимаемой области. Накопители с TLC в основном используются компаниями корпоративного и потребительского уровней.
QLC
Каждая ячейка Quad-Level может представлять до 4 бит, так как слово «Quad» означает «четыре». Память QLC — это технология, которая обеспечивает более низкую стоимость терабайта чем с жестким диском.
Флэш-память 2D NAND
В памяти такого типа ячейки памяти расположены горизонтально, образуя двумерную матрицу. Этот тип модулей памяти и хранения не производится массово, поскольку горизонтальным ячейкам требуется больше физического пространства, что приводит к увеличению размера микросхемы. Таким образом, 2D NAND Flash обладает масштабируемостью.
Флэш-память 2D NAND дешевле, чем флэш-память 3D NAND. Флэш-память 2D NAND имеет большое время задержки, но при этом потребляет примерно на 50% меньше энергии, чем 3D NAND. Этот тип NAND-флэш имеет больше контроля над Flash, чем 3D.
Флеш-память 3D-NAND
Во флэш-памяти 3D NAND пространство экономится за счет вертикального построения ячеек памяти в трехмерной матрице. Этот метод изготовления чипа памяти NAND экономит много физического пространства, уменьшая размер чипа.
Это также позволяет производителям увеличивать объем памяти за счет уменьшения размера чипа. Именно поэтому флэш-память 3D NAND дороже, чем флэш-память 2D. Производить память 3D NAND очень сложно и дорого, а одна-единственная ошибка может вывести из строя всю микросхему памяти.
Флэш-память NAND против NOR
Флэш-память NAND и NOR — это типы флэш-памяти с разными функциями. Диски NOR быстрее, чем диски NAND, но и дороги. Подробнее о различиях между NAND и NOR.
Плюсы и минусы NAND флэш-памяти
Преимущества
Флэш-память NAND является твердотельной, поэтому она устойчива к ударам. Он будет работать даже после случайного падения.
Время записи и удаления очень быстро.
Флэш-память NAND может изготавливаться в виде чипов небольшого размера с большей емкостью.
Этот тип флэш-памяти энергонезависим.
Срок службы более-менее 10 лет.
Устройства хранения данных с такой памятью могут хранить данные до 2 ТБ.
Флэш-память NAND лучше всего работает в экстремальных условиях.
Эти устройства дешевле и в будущем станут дешевле.
Недостатки
Число циклов программирования/стирания (P/E) ограничено 10 000.
Время чтения медленнее.
Промышленность флэш-памяти NAND и ведущие производители
Большинство ведущих технологических отраслей, таких как Samsung, производят эти флэш-памяти NAND, а также используют их в своих электронных устройствах, например, в мобильных телефонах. Вот некоторые из ведущих индустрий флэш-памяти NAND и ведущих производителей:
- Kioxia
- Samsung Electronics
- SK Hynix
- Micron Technology
- Western Digital (WD) Corporation
- Intel
4. Как восстановить потерянные или удаленные данные с флэш-памяти NAND
Если ваши данные были удалены из устройства флэш-памяти NAND, вы можете легко восстановить их в кратчайшие сроки. Wondershare Recoverit — это приложение, которое может восстановить ваши потерянные данные с любых внутренних и внешних носителей, включая устройства с флэш-памятью, SSD, HDD, карты памяти и т. д.
Для восстановления ваших ценных данных вам нужно только загрузить и установить Wondershare Recoverit с официального сайта. После открытия приложения с удобным интерфейсом оно автоматически обнаружит все устройства, подключенные к вашему ноутбуку или ПК, включая USB-накопители или карты камер.
Для Windows XP/Vista/7/8/10/11
Для macOS X 10.10 — macOS 13
Шаг 1 Выберите папку для восстановления
Wondershare Recoverit имеет простой и удобный интерфейс. Запустите его после установки и выберите параметр «Жесткие диски и расположение» на левой панели. Теперь вы можете видеть все диски, включая флешки и разделы жесткого диска. Вам необходимо выбрать диск, с которого вы хотите восстановить файлы.
Шаг 2 Просканируйте устройство флэш-памяти NAND
Сразу после выбора приложение автоматически запустит сканирование. Общее время проверки зависит от количества и размера файлов. Иногда это занимает секунды, а иногда несколько минут. Вы можете выбрать конкретные файлы из меню файлов, которые вы хотите восстановить. Этот тип файла может включать фото, видео, аудио, документ, базу данных, веб-файлы и т. д. Вы также можете найти конкретную папку, чтобы начать восстановление из нее.
Шаг 3 Предварительно просматривайте и восстановите
Recoverit позволяет пользователям просмотреть восстанавливаемые файлы, прежде чем переходить к этапу восстановления. Если вы премиум-пользователи, вы можете просматривать файлы без ограничений. Если вы используете бесплатную версию, вы можете получить 10-секундный предварительный просмотр. Найдя нужные файлы, нажмите кнопку «Восстановить», чтобы вернуть файлы обратно.
Для Windows XP/Vista/7/8/10/11
Для macOS X 10.10 — macOS 13
Источник: recoverit.wondershare.com.ru