Флеш-память NAND позволяет записывать и хранить множество особенных моментов. Samsung Electronics постоянно работает над тем, чтобы на одном накопителе умещалось как можно больше таких моментов. Исполнительный вице-президент и глава подразделения продуктов и технологий флэш-памяти, Samsung Electronics Дзей Хюк Сон (Jaihyuk Song), рассказал, как Samsung работает над улучшением характеристик флеш-памяти.
Первое в мире решение с трехмерной вертикальной организацией чипов
Если вы посмотрите на крошечный полупроводниковый чип через электронный микроскоп, то увидите целую миниатюрную вселенную. Несмотря на толщину чипа всего в 1 мм, внутри него существуют миллионы тщательно спроектированных пространств для хранения огромных объемов данных.
На протяжении многих лет решения флеш-памяти NAND, предназначенные для хранения данных, имели двумерную (2D) структуру, в которой чипы тиражировались и укладывались на плоской поверхности. Но эти двухмерные структуры имели значительные ограничения с точки зрения объема данных, которые можно было в них хранить.
TV SAMSUNG UE40D5500R problem flash nand bloque smart tv logo flashing by ifix rt809h
После масштабных исследований, призванных найти решение этой проблемы, Samsung впервые представила свою технологию флеш-памяти V-NAND (где буква «V» означает вертикальное расположение) – решение, в котором слои ячеек соединяются друг с другом через отверстия в вертикально организованном трехмерном пространстве. Samsung стала первой компанией в мире, которая разработала и выпустила на рынок такое решение для микросхем памяти.
Технология памяти 3D V-NAND дебютировала в 2013 году, создав совершенно новую парадигму полупроводниковой памяти, отличную от памяти с традиционной 2D структурой, которая десятилетиями доминировала в мире электронных хранилищ. Эту техническую трансформацию можно сравнить с ощущениями людей, которые привыкли жить в одно- или двухэтажных домах, и впервые переехали в квартиру в многоэтажном здании.
Технология V-NAND: экспертиза Samsung в области создания полупроводниковых решений
Сегодня решение V-NAND с революционной вертикальной объемной организацией чипов становится отраслевым стандартом.
Но в 2013 году Samsung произвела настоящий фурор, представив на рынке первое V-NAND решение из 24 слоев. Сегодня их количество увеличилось почти до двух сотен, и продолжает постоянно расти. Однако, как и в случае с многоэтажными домами, одним лишь увеличением количества слоев дело не ограничивается.
Возвращаясь к аналогии со зданиями, квартира должна быть просторной, но в то же время, по мере увеличения этажности, должна иметь прочные стены и быть всегда легко доступной – для этого в домах устанавливаются надежные скоростные лифты. Более того, необходимо учитывать уровень шума между этажами, при этом сама высота здания далеко не безгранична.
То же самое относится и к решению V-NAND. Даже если количество слоев одинаково, при более внимательном рассмотрении обнаруживаются незначительные различия в их функциональности и структуре. В мире полупроводников это может иметь первостепенное значение, поскольку даже малейшие различия могут привести к совершенно другому результату.
How to reset Samsung Smart TV
Самая компактная в мире ячейку памяти, ставшая доступной благодаря технологии однослойного травления (Single-Stack Etching)
Вернемся ненадолго в 2013 год.
Чтобы преодолеть ограничения, присущие планарной двухмерной организации полупроводников, Samsung разработала продукт, в котором ячейки объединены в трех измерениях. В то время, поскольку использовалась однослойная структура, у компании не было необходимости сразу учитывать высоту конечного продукта. Однако вместе с ростом спроса на интегрированные решения с высокой пропускной способностью росло и количество слоев, и инженерам Samsung приходилось учитывать физические ограничения, связанные с габаритами создаваемых микросхем.
Samsung первой задумалась над этой намечающейся проблемой высоты V-NAND и начала разрабатывать соответствующие решения раньше всех остальных производителей. Разработанная компанией 176-слойная микросхема V-NAND памяти 7-го поколения сопоставима по высоте с микросхемой V-NAND 6-го поколения, структура которой насчитывала чуть более сотни слоев. Подобные инновации стали возможны благодаря нашим успехам в разработке самых компактных в мире ячеек памяти.
Samsung удалось уменьшить объем ячейки на 35% за счет уменьшения как площади поверхности, так и ее высоты с помощью инновационной технологии 3D-масштабирования. Компания также научилась контролировать любые интерференции между ячейками, возникающие из-за уменьшения их размеров. Это позволило Samsung уместить больше слоев при меньшей высоте самой микросхемы, что обеспечило компании преимущества в преодолении предполагаемых ограничений.
Samsung – единственная компания в отрасли, обладающая технологией однослойного травления, которая позволяет ей объединять более 100 слоев одновременно и соединять их между собой с помощью более миллиарда отверстий. Благодаря сверхмалому размеру ячеек и запатентованной технологии однослойного травления, Samsung – единственная компания, способная предложить решения V-NAND, состоящие из нескольких сотен слоев ячеек.
Взгляд в будущее: решения V-NAND 7-го и 8-го поколений
Во второй половине этого года Samsung собирается продемонстрировать твердотельный накопитель (SSD) потребительского класса на базе своей микросхемы V-NAND 7-го поколения, решения с наименьшим в отрасли размером ячеек. Ожидается, что это решение V-NAND 7-го поколения будет соответствовать требованиям к производительности интерфейса PCIe как 4-го поколения (PCIe Gen 4), так и более позднего 5-го поколения (PCIe Gen 5), благодаря максимальной производительности ввода-вывода (I / O) на уровне 2,0 гигабит в секунду (Гбит/с). Более того, решение компании будет оптимизировано для многозадачности и для запуска ресурсоемких рабочих нагрузок, позволяя, например, одновременно осуществлять 3D-моделирование и редактирование видео.
Samsung также планирует расширить использование технологии V-NAND 7-го поколения и применять ее в твердотельных накопителях для центров обработки данных. Кроме того, чтобы побудить операторов центров обработки данных к снижению энергопотребления, решение Samsung будет обладать малым энергопотреблением и обеспечит повышение энергоэффективности на 16% по сравнению с решением 6-го поколения.
Сегодня компания уже получила рабочий чип своего решения V-NAND 8-го поколения с более чем 200 слоями ячеек и планирует выводить его на рынок по мере развития потребительского спроса.
Грандиозные перспективы технологии V-NAND от Samsung: более 1000 слоев
В полупроводниковой промышленности ничего не происходит случайно. Разработка ранее неизвестной технологии требует не только времени, но также огромных инвестиций и капиталовложений. Samsung смогла стать мировым лидером в полупроводниковой промышленности, даже несмотря на неудачи и другие проблемы, и сумела сохранить энтузиазм, настрой и чувство долга – именно это позволяет нам добиться лучшей жизни для всех, кто нуждается в подобных инновациях.
Так же, как и в случае первого поколения памяти V-NAND, представленного в 2013 году после более чем десяти лет исследований, компания станет первой, кто преодолеет ограничения по высоте, с которым еще предстоит столкнуться отрасли, и сумеет добиться этого благодаря своей технологии 3D-масштабирования. Даже в будущем, когда решения Samsung V-NAND будут состоять более чем из 1000 слоев, компания продолжит следить за тем, чтобы ее микросхемы памяти были самыми надежными в отрасли.
Новая парадигма расширенной реальности приводит к увеличению роли полупроводников
Сегодня мир переходит к новой парадигме расширенной реальности (XR), которая становится возможной благодаря быстрому развитию технологий. Фактически, пандемия значительно ускорила внедрение технологий XR в нашей повседневной жизни, и сейчас наступает новая эра, в которой пересекаются реальность и киберпространство. Более того, улучшение ИТ-устройств и технологий потребует совершенно нового подхода, который будет полностью отличаться от всего, что мы видели ранее, при этом роль полупроводников будет становиться еще более важной, чем когда-либо прежде.
Несомненно, Samsung будет продолжать свою работу, стремясь сделать общество лучше, и будет внедрять инновационные полупроводниковые продукты, основанные на мощных технологических достижениях. Таким образом, вы можете быть уверены, что драгоценные воспоминания, хранящиеся на ваших электронных устройствах, будут сохраняться еще очень долго.
Источник: news.samsung.com
Некоторые типы памяти производства Samsung
Наш век — век информационных технологий. Информацию получают, обрабатывают, передают. Информацию сохраняют. Сохраняют на века, на годы, на несколько дней и даже на доли микросекунд. Не последнюю роль в этом процессе играют микросхемы памяти.
Наш век — век информационных технологий. Информацию получают, обрабатывают, передают. Информацию сохраняют. Сохраняют на века, на годы, на несколько дней и даже на доли микросекунд. Не последнюю роль в этом процессе играют микросхемы памяти.
Как всем известно, память бывает разная — статическая и динамическая, синхронная и асинхронная, оперативная (RAM) и постоянная (ROM), а также Flash. Производством микросхем памяти занимаются много фирм, кто-то делает оперативную память, кто-то ROM и Flash. Однако есть фирмы, производящие сразу почти все виды таких микросхем. Лидирующее место среди них занимает Samsung Electronics.
Samsung Electronics — это транснациональная компания с заводами в Корее и США. Ее продукция — не только память. Это еще и микроконтроллеры, процессоры Alpha, ARM-контроллеры, контроллеры LCD. Из всего спектра производимых фирмой микросхем памяти (рис. 1) в этой статье мы рассмотрим только некоторые.
Статическая память
Сейчас Samsung стала лидером по производству статической оперативной памяти (SRAM). Этот вид памяти находит все большее применение в различных устройствах обработки информации.
Статическая память бывает синхронная и асинхронная. Асинхронная, в свою очередь, бывает быстрая (Fast SRAM) и малого энергопотребления (Low Power SRAM). Память с малым энергопотреблением применяется в портативных устройствах и устройствах с батарейным питанием, для которых очень важно уменьшить потребляемую мощность. Последние разработки Samsung в этой области — это микросхемы серии K6F.
Так, микросхема K6F1616R6A при объеме 16 Мбит потребляет 3 мА при чтении и записи и менее 1 мкА — в режиме хранения, а напряжение питания всего 1,65–2,2 В. Эта микросхема наверняка найдет свое применение в новых перспективных разработках. Сейчас же в основном применяются устройства с напряжением 5 или 3,3 В. Samsung предлагает широкий выбор микросхем в этих диапазонах (см. табл. 1). Для 5 В микросхем (серия K6T) со скоростью доступа 55 или 70 нс ток потребления при обращении к ней составляет около 55 мА, а в режиме хранения — 10 мкА. Для микросхем на 3,3 В эти показатели еще ниже — 30 мА и 5 мкА.
Таблица 1. Статическая асинхронная память Samsung с малым энергопотреблением
Параллельно с уменьшением потребляемой мощности Samsung уменьшает и другой параметр — размер корпуса. Постепенно прекращается производство микросхем в корпусе DIP. В нем еще выпускают 5-вольтовое медленное статическое ОЗУ емкостью 128 К * 8 и 512 К * 8, но остальные микросхемы выпускаются в корпусах. SOP, TSOP1 и TSOP2, а также в различных BGA-корпусах. Эти корпуса занимают на плате гораздо меньше места и предназначены для поверхностного монтажа.
Для быстрой памяти главный критерий — скорость доступа. Среди микросхем фирмы Samsung — это серия K6R, наиболее популярная память со временем доступа 15 нс. Но это уже не предел. В массовом производстве имеются микросхемы, для которых этот параметр составляет 10 и даже 8 нс (см. табл. 2).
Таблица 2. Быстрая статическая асинхронная память Samsung
Энергозависимая память
Очень часто требуется сохранять данные и после выключения питания. Этим требованиям удовлетворяют два типа микросхем памяти — EPROM и Flash. Причем Flash гораздо удобнее, так как не требует специальных программаторов для записи и стирания. Samsung производит два различных типа микросхем Flash-памяти. Они называются NOR-Flash и NAND-Flash согласно организации ячейки памяти (рис.
2). Эти типы памяти также отличаются друг от друга способом и скоростью доступа, записи и стирания, удельной стоимостью одного бита информации и областями применения. Рассмотрим эти типы памяти.
NAND?Flash — память дл больших объемов данных
Очень часто в современных приложениях приходится записывать и обрабатывать довольно большие объемы данных. Эту информацию надо также и хранить при отключенном питании. Для этой цели не подойдет оперативная память — она хранит данные только при включенном питании; не подойдет и EEPROM — малый объем и совершенно не подходящий способ записи. Остается Flash, а именно NAND-Flash.
Архитектура микросхем NAND-Flash оптимизирована для хранения больших объемов данных (рис. 2). Для большей плотности ячейки последовательно соединены между собой без контактных площадок между ними. Такая архитектура обеспечивает не только высокую плотность, но и высокую способность к модульному наращиванию системы. Эти свойства выводят NAND-Flash в лидеры по объему памяти.
И действительно, Samsung массово производит память объемом 1 Гбит (128 М*8), а на подходе уже 2 Гбит, и все это умещается в маленькие TSOP1 или TBGA. Начало выпуска 2 Гбит анонсировано на 2-й квартал 2002 года (характеристики микросхем NAND-Flash фирмы Samsung приведены в табл. 3).
Таблица 3. NAND-flash память Samsung
NAND-flash память Samsung
Но за все в этом мире приходится платить, в том числе и за большой объем памяти. Последовательная организация ячеек позволяет наращивать объем, но исключает произвольный доступ к каждой ячейке.
Страницы и блоки
Рассмотрим более подробно, как организована NAND-Flash, на примере 128-мегабайтной микросхемы K9F1G08U0M (рис. 3). В ней может храниться 1 107 296 256 бит (1 Гбит) информации. Весь этот объем разбит на 65 536 страниц (pages), каждая из которых имеет объем 2112 байт. При этом номер страницы называют row address, а номер байта в странице — column address.
64 байта, расположенные по column-адресам с 2048 по 2111 в каждой странице, являются запасными. Массив памяти состоит из 32 ячеек, последовательно соединенных в NAND-структуру. Каждая из таких ячеек находится в разных страницах. Блок (Block) состоит из 64 страниц, организованных двумя NAND-структурами. Всего в микросхеме 33792 NAND-структуры из 32 ячеек.
Нужно иметь в виду, что операции чтения и программирования (записи) проводятся постранично, в то время как операции стирания — поблочно. То есть вся микросхема состоит из 1024 блоков, которые можно стирать по отдельности, побайтное стирание невозможно.
Шины данных и адреса мультиплексированы, по этой единой шине передаются адреса, данные и команды. Некоторые команды требуют только один цикл, например команды чтения статуса и команда Reset. Команды записи страницы и стирания блока требуют два цикла.
Чтобы адресовать 128 мегабайт памяти, необходимо 28 бит адреса, поэтому для выставления адреса необходимо 4 цикла: 2 цикла column address и 2 цикла row address. То есть для того чтобы начать чтение или запись страницы (рис. 4), необходимо 6 циклов: четыре цикла адреса следуют за командой. Для стирания блока требуется на два цикла меньше (рис. 5), так как выставляется только row адрес.
Сравнительная характеристика производительности таких микросхем приведена на рис. 6.
Все NAND-Flash от 8 до 256 Мбайт имеют одни и те же корпуса и одинаковое количество сигнальных ног. Это позволяет производить наращивание объема памяти устройства без переразводки платы.
Полезные функции
NAND-Flash производства Samsung имеет несколько полезных функций, значительно упрощающих работу с ней.
Первая — это возможность записи с использованием CASH-регистра объемом 2048+64 байт. Это значительно ускоряет процесс. По окончании записи CASH-регистра данные автоматически сбрасываются в так называемый DATA-регистр, откуда они уже и пишутся непосредственно в ячейки памяти, а в это время в CASH-регистр можно снова записывать информацию. Скорость записи одного байта при этом достигает 50 нс.
Вторая особенность заключается в автоматической установке в режим последовательного чтения первой страницы при включении питания. Никакой подачи команд при этом не требуется.
Третья, и самая важная, особенность заключается в возможности прямой перезаписи данных из одной страницы в другую, так называемое Copy-Back программирование. При этом не надо считывать данные на внешний буфер из одной страницы Flash, а потом записывать обратно в другую страницу. Вся операция происходит внутри самой микросхемы. Это позволяет значительно увеличить производительность Flash-памяти, если вы используете ее в качестве твердотельного диска.
Плохие блоки
«Нет на свете совершенства» — гласит народная мудрость. И NAND-Flash может иметь плохие ячейки (bad blocks). По определению Samsung, плохие блоки — это блоки, в которых есть сбойные биты, за надежность которых производитель ответственности не несет. Информация о том, что блок является плохим, записана в первом байте из запасной области памяти (column address 2048).
Все ячейки памяти микросхем, выходящих с завода, стерты, в них записано FFh. Если по column-адресу 2048 первой и второй страницы блока записано не FFh, значит, этот блок дефектный и пользоваться им не стоит.
Варианты применения
В силу своих функциональных возможностей NAND-Flash используют для хранения больших массивов данных, обработка которых идет последовательно, например для записи видеоинформации, оцифрованного звука или информации о каком-либо процессе (данные измерений от ультразвукового дефектоскопа, расход электроэнергии, температура в печи и прочее).
На основе NAND-Flash можно организовать виртуальный жесткий диск для устройств, работающих под управлением какой-либо операционной системы (рис. 7). По сравнению с обычными устройствами хранения устройство на основе NAND-Flash не имеет движущихся частей, что важно для систем, работающих в тяжелых условиях. Такой «диск» имеет преимущество даже перед DiskOnChip, так как NAND-Flash запаивается на плату по SMD-технологии и не требует панельки для установки. DiskOnChip же может выпасть из «кроватки» от сильной вибрации или перегрузок.
Производители цифровых видеокамер, фотоаппаратов и диктофонов давно уже признали преимущество Flash-носителей информации, однако они используют не микросхемы, а карточки. Samsung выпускает такие карточки в форматах SmartMedia™ и Compact Flash™ (рис. 8, табл. 4).
Таблица 4. Flash-карточки
NOR?Flash
В отличие от NAND, архитектура NORFlash памяти позволяет осуществлять быстрый случайный доступ к каждой ячейке. Всем известна Flash-память фирм AMD или ST Microelectronics. Samsung ранее не производил такие микросхемы, но с ноября 2001 года он начал массовое производство Flash-памяти для 8- и 16-разрядных микроконтроллеров. Это микросхемы серии K8D (см. табл. 5).
Скорость доступа у этих микросхем достигает 80 нс. Они не требуют дополнительных 12 В для стирания, используя для всех операций одно напряжение питания. Вы можете менять разрядность шины данных (8 или 16 разрядов). Архитектура Flash-памяти Samsung многобанковая. Это позволяет читать один банк, одновременно стирая другой.
Микросхемы поддерживают Common Flash Memory Interface, а встроенный контроллер при отсутствии обращений автоматически переключит память в спящий режим, потребление в котором составит всего 0,2 мкА. Samsung гарантирует для таких микросхем 100 000 циклов программирования-стирания и не менее 10 лет хранения данных.
Таблица 5. NOR-flash память Samsung
Микросхемы NOR-Flash от Samsung не уступают и даже превосходят по своим параметрам аналогичные микросхемы фирм AMD (AM29LV160D и AM29LV320D) и ST Microelectronics (M29W160D и M29W320D), будучи значительно дешевле продуктов конкурентов. Это естественно, поскольку Samsung вышел на этот сегмент рынка недавно и стремится завоевать его, что возможно только при меньшей цене и лучшем качестве.
Смешанная память
Samsung выпускает и смешанную память. Его микросхемы MCP (Multi-Chip Package) имеют в одном чипе и оперативную (SRAM), и Flash-память (как NAND, так и NOR). Характеристики MCP-микросхем c памятью NOR-Flash приведены в табл. 6. Эта память создавалась изначально для сотовых телефонов 3-го поколения, но с успехом применяется и в любых других устройствах, имеющих жесткие ограничения по габаритам и потребляемому току.
Таблица 6. MCP (SRAM и FLASH на одном чипе)
Подведем итоги
В этом коротком обзоре не удалось охватить и подробно описать всю продукцию Samsung Electronics, но я надеюсь привлечь внимание наших читателей к этой фирме и ее продукции. Samsung Electronics выходит в лидеры по производству разных видов памяти. Постоянно расширяемый спектр продукции и низкие по сравнению с другими производителями цены не могут не привлечь к себе внимание наших разработчиков.
Источник: kit-e.ru
SH8M — надежная eMMC память для ответственных приложений
NAND FLASH – надежная и недорогая память. Она используется в самых различных приложениях: от сотовых телефонов до автомобильных навигаторов. Микросхемы памяти eMMC также используют NAND FLASH. Однако они обеспечивают гораздо больший уровень надежности. Это достигается за счет встроенного управляющего контроллера.
Стоит отметить, что и eMMC бывают разные. Недавно компания SMART Modular Technologies анонсировала линейку микросхем памяти SH8M повышенной надежности для ответственных приложений.
 |
|
| Рис. 1. | eMMC от компании SMART Modular Technologies. |
В результате сотрудничества двух организаций Multi Media Card Association (MMCA) и JEDEC Solid State Technology Association (JEDEC) появился новый стандарт eMMC. С одной стороны, он использует наработки по стандартизации NAND FLASH от MMCA, с другой стороны, соответствует требованиям JEDEC по корпусному исполнению.
Каковы же основные особенности eMMC-памяти? Во-первых, она объединяет в себе NAND FLASH и MMC-контроллер. Во-вторых, eMMC выпускается в стандартном корпусном исполнении JEDEC® MO-304 (100-выводной BGA) или MO-276 (153-выводной BGA).
Наличие MMC-контроллера дает пользователю очевидные преимущества (Рис. 2). При использовании простой NAND FLASH необходим программный драйвер, который будет решать все вопросы по обеспечению целостности информации: контроль ошибок, определение битых секторов и т.д. В eMCC все эти функции берет на себя встроенный MMC-контроллер памяти.
В результате нагрузка на управляющий процессор или микроконтроллер снижается. Кроме того, eMMC оказывается более защищенным носителем информации.
 |
|
| Рис. 2. | Сравнение организации обмена данными с простой NAND FLASH и eMMC. |
В отличие от других носителей (например, SD-карты), eMMC – встраиваемый тип памяти. Микросхемы eMMC предназначены для монтажа на печатную плату. В итоге, они представляют собой более медленную, но и более дешевую альтернативу SSD для различных приложений (планшеты, смартфоны и т.д.). Стандартизация корпусного исполнения в данном случае – логичный шаг для упрощения проектирования устройств с eMMC.
Таким образом, eMMC становится идеальным выбором в качестве встроенной памяти различных приложений: планшеты, смартфоны, навигаторы и т.д. Однако есть области, в которых требования к надежности носителей информации оказываются достаточно жесткими. Например, в автомобильной и промышленной электронике. Именно для этих областей компания SMART Modular Technologies разработала eMMC серии SH8M повышенной надежности (Рис. 3).
 |
|
| Рис. 3. | Микросхемы SH8M eMMC повышенной надежности. |
SH8M – микросхемы eMMC-памяти объемом 8/ 16/ 32/ 64 Гбайт. SH8M отвечают требованиям JEDEC/ MMC4.51 и выпускаются в двух вариантах корпусного исполнения: JEDEC® MO-304 (100-выводной BGA) или MO-276 (153-выводной BGA).
Основной отличительной чертой SH8M является высокий уровень надежности, что обеспечивается двумя факторами: широким диапазоном рабочих температур и соответствием требованиям стандартов AEC-Q100.
Для пользователей доступны два варианта исполнения SH8M с различными температурными диапазонами. Версия Extended допускает работу в диапазоне -25. +85 °C. А версия Industrial в диапазоне -40. +85 °C. Версия Extended, очевидно, предназначена для коммерческих приложений, в то время как микросхемы с диапазоном Industrial найдут применение в автомобильной и промышленной электронике.
SH8M соответствует требованиям стандартов для автомобильных приложений AEC-Q100:
- AEC-Q100-002-E Human Body Model (HBM) ± 2000 В класс H2;
- AEC-Q100-003-E Machine Model (MM) ± 200 D класс M3;
- AEC-Q100-011 Rev-C Charge Device Model (CDM) ±750 В класс С5;
- AEC-Q100-004-D.
Для именования микросхем используется достаточно сложное обозначение, которое включает: серию памяти (SH8M), код объема памяти, тип корпуса, тип конфигурации, код программой версии, форму поставки, версию температурного исполнения.
Самым большим объемом памяти 64 Гбайт в данной линейке могут похвастаться микросхемы:
- SH8M64GAITDFAAE01 – 64 Гбайт, -25. +85 °C (версия Extended), JEDEC® MO-304 (100-выводной BGA);
- SH8M64GAITDFAAI01 – 64 Гбайт, -40. +85 °C ( версия Industrial), JEDEC® MO-304 (100-выводной BGA);
- SH8M64GBGTDFAAE01 – 64 Гбайт, -25. +85 °C (версия Extended), JEDEC® MO-276 (153-выводной BGA);
- SH8M64GBGTDFAAI01 – 64 Гбайт, -40. +85 °C ( версия Industrial), JEDEC® MO-276 (153-выводной BGA).
Высокий уровень защиты SH8M делает возможным их использование в автомобильной и промышленной электронике, а также в других ответственных приложениях. Однако полный список областей их применения значительно шире и включает в себя следующие пункты:
- автомобильная электроника;
- промышленная электроника;
- медицинское оборудование;
- сетевое оборудование;
- RFID-сканеры;
- VoIP;
- серверы и т.д.
Характеристики микросхем памяти серии SH8M:
- Тип памяти: eMMC NAND FLASH;
- Объем памяти: 8/ 16/ 32/ 64 Гбайт;
- Интерфейс связи: параллельный (8 линий данных и сигналы управления);
- Частота тактирования: до 53 МГц (SDR/ DDR);
- Особенности MMC: поддержка JEDEC/ MMC 4.51;
- Совместимость с предыдущими стандартами MMC: есть;
- Напряжение питания VCC: 2.7. 3.6 В; VCCQ: 1,7. 1,95 В или 2.7. 3.6 В;
- Диапазон рабочих температур: -25. +85 °C (версия Extended), -40. +85 °C (версия Industrial);
- Диапазон температур хранения: -40. +85 °C;
- Корпусное исполнение: JEDEC® MO-304 (100-выводной BGA) или MO-276 (153-выводной BGA).
О компании
SMART Modular Technologies – крупный производитель различных типов носителей информации. Номенклатура компании включает в себя три основных сегмента: оперативная DRAM-память (DDR, DDR2, DDR3, DDR4), встраиваемая память (Embedded USB, eMMC, M.2 SATA, mSATA), съемные носители информации (CF Card, microSD, SATA SSD, SD Card, USB Flash Drive).
Источник: www.rlocman.ru